磨削工艺对Ge单晶抛光片的影响

因磨削工艺不同导致Ge单晶片表面粗糙度出现很大差异,并最终影响抛光速率、抛光片的表面质量及抛光片时间依赖性雾的形成。粗糙度大的磨削片,初始抛光速率快,但抛光片达到镜面所需时间却延长。在抛光后的去蜡工序中,粗糙度大的Ge片其表面更容易粘附蜡液而导致表面质量下降。检验合格的抛光片在存储过程中表面出现时间依赖性雾,分析了时间依赖性雾的形成原因是由于粗糙的背表面更容易存储水份和有机溶剂。要提高抛光片的质量必须控制磨削片的粗糙度。

化学腐蚀对超薄锗片机械强度的影响

随着锗太阳能光伏产业的发展,锗抛光片得到了广泛的应用。机械强度对锗衬底抛光片的质量和成品率有着重要的影响,采用化学腐蚀工艺,通过酸碱腐蚀实验的开展以及腐蚀温度、腐蚀液配比的控制,确立了提高锗单晶片机械强度的化学腐蚀工艺,腐蚀后晶片表面均匀,磨削纹路清晰可见,TTV小于3μm,机械强度为31～40N,完全满足应用要求。

硅晶片电阻率测量技术的研究

分析了硅晶片电阻率测试的重要性并介绍了国内外常用的电阻率测试方法,并对使用最广泛的工艺检测手段-四探针技术的原理、测准条件及发展状况进行了详细的介绍。