21世纪电子元件的发展趋势

２１世纪电子元件的发展趋势主要是元件片式化、包装编带化、生产专业化和规模化、工艺精细化、生产环境“绿色化”，电子元件企业要创新管理，并在生产过程中符合社会保障的要求。鉴于市场日益国际化，电子元件的发展更应顺从知识经济规律。

水溶性助焊剂焊接技术及水清洗工艺

以混合醇、有机酸、活性剂、高温润湿剂等与异丙醇混合配制成水溶性助焊剂。在电容器生产中使用了这种助焊剂替代松香酒精助焊剂,焊接后采用纯水替代三氯乙烯溶剂进行清洗。测试结果表明,产品介质损耗小于0.03,绝缘电阻大于10000M?,均达到国家产品标准。实现了绿色化生产且降低了生产成本。

一次性烧成晶界层半导体陶瓷电容器

采用一次性烧成技术研制了晶界层半导体陶瓷电容器,在瓷料配制过程中先后加入施主杂质和含有受主杂质的晶界助烧剂,两者在还原烧成时促使晶粒生长并半导化,助烧剂在氧化时有利于晶界绝缘层形成。在一台联体烧成设备中,采用大梯度温度和气氛变化,连续完成还原烧成和氧化处理。还原烧成时,升温速度大于400℃/h。在还原烧成温度下保温后,立即在几分钟内,从还原气氛转到氧化气氛,同时降温300℃以上。整个烧成过程中,瓷体全部是堆烧(叠烧10～20层),生产效率比二次烧成提高10倍以上。

DCF型交流圆片瓷介电容器

通过对陶瓷介质、导体浆料、包封料等材料的选择，以及陶瓷介质厚度、被银瓷片留边量的设计，采用干压成型法成型，控制生坯密度为３．６２～３．９０ｇ／ｃｍ３，研制成功了额定电压为ＡＣ２５０Ｖ、ＡＣ４００Ｖ的ＤＣＦ型交流瓷介电容器。该产品已取得ＣＣＥＥ、ＵＬ、ＶＤＥ和ＣＳＡ安全认证。

片式元件产业的发展前景

通过总结中国电子元件产业发展的经验教训，分析东莞宏明南方公司规模经济生产的经验，指出了“引进、消化、吸收、创新”必须与自主开发相结合搞规模经济生产的重要性。

单层圆片带引线元件的片式化实现

介绍了在单层陶瓷圆片的基础上实现单层陶瓷圆片带引线元件的片式化。即将陶瓷芯片夹于上下连体扁平引线中间并焊接,模塑环氧树脂封装,再分割切开引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了用单层圆片制成的片式结构元件。已开发出CCH单层塑封型片式高压瓷介电容器、CCF单层塑封型片式交流瓷介电容器、ZVD单层塑封型片式氧化锌压敏电阻器产品,其结构坚固牢靠、防潮性能好、散热性能好、可靠性高,适应用于SMT生产。

ZVD型片式塑封ZnO压敏电阻器的制备

用圆片压敏电阻器的单层被银瓷片,制成片式ZnO压敏电阻器,从而解决了制造尺寸较小、电压较高、电流较大的片式压敏电阻器这一难题。将ZnO陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了片式塑封ZnO压敏电阻器。该产品与片式单层矩形和多层矩形ZnO压敏电阻器相比,具有更高的可靠性和性价比。

CCH型片式高压陶瓷电容器

MLCC制成小容量规格相对困难,且偶有破碎,可靠性差,用于制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式高压瓷介电容器以替代小容量的MLCC。开发设计了陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到了仍是用单层被银瓷片制成的片形高压瓷介电容器。该产品的小容量规格制造更容易,其可靠性高,适用于SMT。

陶瓷电容器丝网掩模漏即孔间隔设计

改进丝网掩模漏印孔间隔，提高了陶瓷电容器容量偏差（等级品）合格率，用０．０２ｍｍ漏印孔尺寸间隔代替０．１ｍｍ，可大幅度提高等级品（Ｃ（１、Ｊ（１）、Ｋ（２）级）合格率，在相同设施的条件下，大大提高了生产能力，经济效益显著。

片式电子元件的发展

本文介绍对日、美12家公司、23个工厂、8所研究机构的考察概况。重点介绍片式电子元件近几年来的发展情况。

略论我国圆片瓷介电容器的规模经济生产

我国圆片瓷介电容器必须实现规模经济生产才具有市场竞争能力。企业必须不断追求先进的生产技术、生产方式和管理模式,一切经营活动必须依市场为核心,以产品的合理价格、用户满意的质量和优质的服务赢得用户,占领市场。

电子元件生产工程与规模经济

前言 生产工程是综合性的科学技术,也是一项系统工程。它研究的领域主要是产品设计后,组织生产中必要的生产方法、生产手段。

CCF型片式塑封交流瓷介电容器

用多层陶瓷电容器(MLCC)制作交流瓷介电容器相对困难,我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要。开发了将陶瓷芯片夹在上下两连体扁平引线中间并焊接,再用模塑环氧树脂封装,然后分割并切开连体引线,将切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到仍是用单层被银瓷片制成的片式塑封交流瓷介电容器,该产品比ML-CC交流瓷介电容器的制造更容易,可靠性更高,且适用于表面贴装。

半导体陶瓷电容器

论述半导体陶瓷电容器的一般工艺、瓷体结构、介电特性及其与一般ＢａＴｉＯ３ 型陶瓷电容器之差异。着重叙述其与低压直流老化相关的各种敏感问题。

依靠技术进步,发挥规模经济生产的优势

本文以一个工厂为例子，说明电子元件企业走专业化自动化规模经济大生产的路子是企业摆脱被动、落后，在市场竞争中才能占有一席之地，是企业赢利的唯一出路。

表面层型半导体陶瓷电容器的开发及产业化

表面层型半导体陶瓷电容器的开发成功,是我国新型元件领域中的一项高新技木及其产业化的突破。重点介绍了表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构和原理。本项目开发创新成果:隧道式气氛烧结组合炉,还原气氛的获取,半导化及再氧化技术,工程中设计参数及氧化层厚度观察及量测技术等。