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掺铒Al_2O_3/Si多层薄膜中纳米晶Si的形成和敏化效应
1
作者
章新栾
王军转
+4 位作者
杨森林
杨明珠
陆昉
施毅
郑有炓
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期581-585,共5页
采用脉冲激光沉积制备了掺铒Al2O3/Si多层薄膜,在淀积过程中脉冲激光溅射产生的高能量Er原子渗透进入非晶硅层,并引入了额外的应力,在低退火温度下诱导形成纳米晶Si。利用纳米晶Si作为敏化剂有效地增强了Er3+在Al2O3中的光致发光。样品...
采用脉冲激光沉积制备了掺铒Al2O3/Si多层薄膜,在淀积过程中脉冲激光溅射产生的高能量Er原子渗透进入非晶硅层,并引入了额外的应力,在低退火温度下诱导形成纳米晶Si。利用纳米晶Si作为敏化剂有效地增强了Er3+在Al2O3中的光致发光。样品微观结构和发光强度的关系表明,获得高密度和小尺寸的纳米晶Si和Er3+处于良好的发光环境是实现优化发光的关键,最优化的Er3+发光强度在退火温度为600℃的条件下得到。
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关键词
纳米晶硅
ER3+
光致发光
敏化效应
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职称材料
掺铒Si/Al2O3多层结构中结晶形态对1.54μm发光的影响
2
作者
王军转
石卓琼
+8 位作者
娄昊楠
章新栾
左则文
濮林
马恩
张荣
郑有炓
陆昉
施毅
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期4243-4248,共6页
利用脉冲激光沉积的方法制备掺铒Si/Al2O3多层结构薄膜,获得了由纳米结构的Si作为感光剂增强的Er3+在1.54μm高效发光.利用拉曼散射、高分辨透射电镜和光致发光测量研究了在不同退火温度下(600—1000℃)纳米结构Si层的结晶形态变化,及对...
利用脉冲激光沉积的方法制备掺铒Si/Al2O3多层结构薄膜,获得了由纳米结构的Si作为感光剂增强的Er3+在1.54μm高效发光.利用拉曼散射、高分辨透射电镜和光致发光测量研究了在不同退火温度下(600—1000℃)纳米结构Si层的结晶形态变化,及对Er3+在1.54μm的发光的影响特征.研究发现最佳发光是在退火温度600—700℃.在这个条件下纳米Si的尺寸和密度,Si和Er的作用距离以及Er3+发光的化学环境得到了优化.进一步,光致发光瞬态衰减谱研究表明,当纳米Si尺寸小时,衰减遵循单指数模式(慢过程),当纳米Si尺寸大时,衰减遵循双指数模式(快过程和慢过程),其中衰减中快过程来自类体Si的对激发态Er3+去激发过程,慢过程对应典型的纳米Si体系衰减过程.
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关键词
铒
纳米硅
能量转移
氧化铝
原文传递
题名
掺铒Al_2O_3/Si多层薄膜中纳米晶Si的形成和敏化效应
1
作者
章新栾
王军转
杨森林
杨明珠
陆昉
施毅
郑有炓
机构
南京大学电子科学与工程学院
复旦大学物理系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期581-585,共5页
基金
国家"973"计划资助项目(2007CB936300)
国家自然科学基金资助项目(60990314
+1 种基金
61076005)
江苏省自然科学基金资助项目(BK2007146)
文摘
采用脉冲激光沉积制备了掺铒Al2O3/Si多层薄膜,在淀积过程中脉冲激光溅射产生的高能量Er原子渗透进入非晶硅层,并引入了额外的应力,在低退火温度下诱导形成纳米晶Si。利用纳米晶Si作为敏化剂有效地增强了Er3+在Al2O3中的光致发光。样品微观结构和发光强度的关系表明,获得高密度和小尺寸的纳米晶Si和Er3+处于良好的发光环境是实现优化发光的关键,最优化的Er3+发光强度在退火温度为600℃的条件下得到。
关键词
纳米晶硅
ER3+
光致发光
敏化效应
Keywords
Si nanocrystals
Er3+ photoluminescence
sensitization
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN213 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
掺铒Si/Al2O3多层结构中结晶形态对1.54μm发光的影响
2
作者
王军转
石卓琼
娄昊楠
章新栾
左则文
濮林
马恩
张荣
郑有炓
陆昉
施毅
机构
南京大学物理系
复旦大学物理系
中国科学院福建物质结构研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期4243-4248,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:10574062,90606021)资助的课题~~
文摘
利用脉冲激光沉积的方法制备掺铒Si/Al2O3多层结构薄膜,获得了由纳米结构的Si作为感光剂增强的Er3+在1.54μm高效发光.利用拉曼散射、高分辨透射电镜和光致发光测量研究了在不同退火温度下(600—1000℃)纳米结构Si层的结晶形态变化,及对Er3+在1.54μm的发光的影响特征.研究发现最佳发光是在退火温度600—700℃.在这个条件下纳米Si的尺寸和密度,Si和Er的作用距离以及Er3+发光的化学环境得到了优化.进一步,光致发光瞬态衰减谱研究表明,当纳米Si尺寸小时,衰减遵循单指数模式(慢过程),当纳米Si尺寸大时,衰减遵循双指数模式(快过程和慢过程),其中衰减中快过程来自类体Si的对激发态Er3+去激发过程,慢过程对应典型的纳米Si体系衰减过程.
关键词
铒
纳米硅
能量转移
氧化铝
Keywords
Er, Si nanocrystal, sensitizer, Al2O3
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺铒Al_2O_3/Si多层薄膜中纳米晶Si的形成和敏化效应
章新栾
王军转
杨森林
杨明珠
陆昉
施毅
郑有炓
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
下载PDF
职称材料
2
掺铒Si/Al2O3多层结构中结晶形态对1.54μm发光的影响
王军转
石卓琼
娄昊楠
章新栾
左则文
濮林
马恩
张荣
郑有炓
陆昉
施毅
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
原文传递
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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