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钢铁材料晶界结合和冲击断裂特征的电子能量损失谱研究 被引量:1
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作者 章晓中 杨卫国 +3 位作者 袁俊 张丽娜 齐俊杰 马钺 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第4期356-362,共7页
本文采用电子能量损失谱(EELS)研究了不同商用钢铁材料的晶界,计算了晶界处和晶粒内铁原子的3d电子占据态密度,并将其和晶界性质以及材料的宏观断裂性能相联系。结果表明,当样品晶界处铁的3d电子占据态密度高于晶粒内时,晶界结合强度低... 本文采用电子能量损失谱(EELS)研究了不同商用钢铁材料的晶界,计算了晶界处和晶粒内铁原子的3d电子占据态密度,并将其和晶界性质以及材料的宏观断裂性能相联系。结果表明,当样品晶界处铁的3d电子占据态密度高于晶粒内时,晶界结合强度低于晶内,晶界表现出脆性,材料的冲击断裂方式主要为脆性的沿晶断裂;反之,如果样品晶界处铁的3d电子占据态密度低于晶粒内时,晶界结合强度高于晶内,晶界表现出韧性,材料的冲击断裂方式主要为脆性的穿晶断裂。还发现元素在晶界的偏析对晶界结合强度影响很大。 展开更多
关键词 电子能量损失谱 钢铁材料 电子结构 晶界 断裂模式
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Fe_x-C_(1-x)/Si颗粒膜的巨磁电阻效应 被引量:2
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作者 章晓中 薛庆忠 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期429-431,共3页
利用激光脉冲沉积(PLD)方法制备了沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si。Fex-C1-x/Si的磁电阻(MR)可正可负,随温度而变化。当温度T<258 K时,Fe0.011-C0.989/Si的MR为负值;当258 K<T<340 K时,该材料的MR为正... 利用激光脉冲沉积(PLD)方法制备了沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si。Fex-C1-x/Si的磁电阻(MR)可正可负,随温度而变化。当温度T<258 K时,Fe0.011-C0.989/Si的MR为负值;当258 K<T<340 K时,该材料的MR为正值,在室温磁场为1 T时,该材料的正MR可以大于20%。且在不同的温度范围中,该材料的MR和外加磁场的依存关系呈现出不同的特点:在T=280和300 K时,当磁场小于1 T时,MR随磁场的增加而快速增加,之后随磁场的继续增加MR增加开始变得缓慢;在T=350 K时,MR近似以磁场的B1.5的规律变化;而在T=30 K时,MR为负值且其大小随磁场的增加而减小。利用双通道模型对该MR效应进行了初步解释。 展开更多
关键词 磁电阻 碳膜
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钢铁材料晶界性质和冲击断裂特征的电子结构表征
3
作者 章晓中 张丽娜 +2 位作者 马钺 齐俊杰 袁俊 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期617-621,共5页
采用电子能量损失谱(EELS)研究了不同商用钢铁材料的晶界,计算了晶界处和晶粒内铁原子的3d电子占据态密度,并将其和晶界性质以及材料的宏观断裂性能相联系.结果表明:当样品晶界处铁原子的3d电子占据态密度高于晶粒内时,晶界结合强度低... 采用电子能量损失谱(EELS)研究了不同商用钢铁材料的晶界,计算了晶界处和晶粒内铁原子的3d电子占据态密度,并将其和晶界性质以及材料的宏观断裂性能相联系.结果表明:当样品晶界处铁原子的3d电子占据态密度高于晶粒内时,晶界结合强度低于晶内,晶界表现出脆性,材料的冲击断裂方式主要为脆性的沿晶断裂;反之,如果晶界处铁原子的3d电子占有态密度与基体没有明显的差异,则晶界结合强度与晶内相当,晶界表现出韧性,材料的断裂方式主要为韧性的穿晶断裂. 展开更多
关键词 钢铁材料 电子结构 晶界 断裂模式 电子能量损失谱
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主讲教师谈双语教学 被引量:49
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作者 郭安林 章晓中 +3 位作者 李艳梅 孙骞 陈昌民 萧淑琴 《中国大学教学》 CSSCI 2004年第4期41-44,共4页
高等学校双语教学工作研讨会于2004年2月21至22日在北京师范大学召开。会议代表针对本次会议建议讨论的双语教学经验交流、双语教学立项工作、成立双语教学协作组、成立双语教学资源中心等议题进行分组讨论。本刊择选部分双语教学主讲... 高等学校双语教学工作研讨会于2004年2月21至22日在北京师范大学召开。会议代表针对本次会议建议讨论的双语教学经验交流、双语教学立项工作、成立双语教学协作组、成立双语教学资源中心等议题进行分组讨论。本刊择选部分双语教学主讲教师的发言,供同行参考。 展开更多
关键词 双语教学 高校 教学资源 课堂文化 课堂气氛
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Mo对高强度钢延迟断裂行为的影响 被引量:22
5
作者 惠卫军 董瀚 +2 位作者 翁宇庆 时捷 章晓中 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1274-1280,共7页
在含V和Nb的40Cr钢中添加不同质量分数(0-1.54%)的Mo元素,采用缺日拉伸试样和改进的M-WOL型试祥研究了Mo对高强度钢延迟断裂行为的影响.结果表明,随着Mo含量的增加,实验钢的延迟断裂抗力逐渐提高;当Mo含量超过1.15%时,延迟断裂抗力不... 在含V和Nb的40Cr钢中添加不同质量分数(0-1.54%)的Mo元素,采用缺日拉伸试样和改进的M-WOL型试祥研究了Mo对高强度钢延迟断裂行为的影响.结果表明,随着Mo含量的增加,实验钢的延迟断裂抗力逐渐提高;当Mo含量超过1.15%时,延迟断裂抗力不再提高.EDS分析结果表明,钢中Mo元素在晶界发生偏聚,偏聚范围在几个纳米尺度内.通过电子能量损失谱(EELS)证明, Mo元素在原奥氏体晶界的偏聚能够提高钢的晶界结合强度.在钢中添加Mo能够显著提高钢的回火抗力和晶界结合强度,这是其具有高的延迟断裂抗力的主要原因.碳化物Mo2C对氢的捕集作用亦能够提高钢的延迟断裂抗力.Mo和V元素的二次硬化碳化物在半共格和非共格状态时,实验钢的延迟断裂抗力显著提高. 展开更多
关键词 Mo元素 高强度钢 延迟断裂 二次硬化
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低碳钢SS400形变强化相变组织演变的动力学 被引量:10
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作者 齐俊杰 杨王玥 +2 位作者 孙祖庆 章晓中 董志锋 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期605-610,共6页
采用Gleeble1500热模拟机进行压缩实验,研究了Q235级别低碳钢SS400在750和780℃形变强化相变组织演变及动力学的定量特征.过冷奥氏体形变过程的形变强化相变按照其转变动力学的特征可分为3个阶段:前2个阶段的转变动力学方程形式与J—M—... 采用Gleeble1500热模拟机进行压缩实验,研究了Q235级别低碳钢SS400在750和780℃形变强化相变组织演变及动力学的定量特征.过冷奥氏体形变过程的形变强化相变按照其转变动力学的特征可分为3个阶段:前2个阶段的转变动力学方程形式与J—M—A方程的形式相符,而第3阶段的转变动力学与J—M—A方程的形式不相吻合.第1阶段符合Cahn的“位置饱和”机制,动力学参数n值为4,对应于铁素体在原奥氏体晶界及三叉界的形核及快速长大.第2阶段不符合Cahn的“位置饱和”机制,n值在1.0—1.5之间,对应于晶内奥氏体/铁素体前沿畸变区的大量形核.第3阶段对应于剩余少量形核位置时的转变变缓过程.变形提高了晶粒的形核率,同时促进了晶粒的长大速率;形变强化相变铁素体晶粒转变初期的长大速率随应变速率的增加而增大. 展开更多
关键词 低碳钢 形变强化相变 动力学 组织演变
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半导体碳基薄膜的巨磁电阻和电致电阻
7
作者 章晓中 《功能材料信息》 2007年第5期23-,共1页
发明了一类新型磁阻材料——沉积于硅基片上的金属掺杂的纳米半导体非晶碳基薄膜材料,它们具有优异的低场磁电阻效应,在磁场为2.388×10~4A/m时,磁阻可达30%以上,灵敏度可以与自旋阀结构的GMR材料相比美。这些材料还有优异的电致电... 发明了一类新型磁阻材料——沉积于硅基片上的金属掺杂的纳米半导体非晶碳基薄膜材料,它们具有优异的低场磁电阻效应,在磁场为2.388×10~4A/m时,磁阻可达30%以上,灵敏度可以与自旋阀结构的GMR材料相比美。这些材料还有优异的电致电阻效应,在室温时,它们的电致电阻可达70000%。新材料还有新颖的电磁特性,如它们的磁阻可正可负,具有电流-电压曲线的不可逆性,微分负电阻效应。研制的这类材料不仅有新颖的物理特性,具有很大的科学研究价值,而且它们的某些物性已达到了应用的程度,可望在信息工业上(高密度读出磁头、磁传感器、电学量传感器、场效应器件、温度敏感器件等领域)获得应用。 展开更多
关键词 金属掺杂 碳基薄膜 巨磁电阻 电致电阻
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介孔微孔分子筛的电子显微表征 被引量:2
8
作者 刘军 章晓中 +1 位作者 韩宇 肖丰收 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期627-628,共2页
关键词 电子显微表征 介孔分子筛 催化性 微孔结构
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PVD法在ZnO(001)薄膜上制备ZnO纳米线阵列 被引量:5
9
作者 王立晟 章晓中 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期252-252,共1页
关键词 纳米线阵列 PVD法 取向薄膜 ZNO 制备 直接蒸发 反应温度 反应时间 添加剂
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ZnO纳米线/纳米棒混合阵列的制备及其光致发光性能研究 被引量:4
10
作者 栗粟 章晓中 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期567-571,共5页
使用无催化剂热蒸发法,在ZnO/Si薄膜衬底上制备了ZnO纳米线/纳米棒混合阵列。其中,纳米线的直径为10~20 nm,纳米棒的直径为60~160 nm,二者混合在一起垂直生长于衬底表面。从衬底的上游到下游位置,混合阵列中纳米线的含量逐渐下降,纳米... 使用无催化剂热蒸发法,在ZnO/Si薄膜衬底上制备了ZnO纳米线/纳米棒混合阵列。其中,纳米线的直径为10~20 nm,纳米棒的直径为60~160 nm,二者混合在一起垂直生长于衬底表面。从衬底的上游到下游位置,混合阵列中纳米线的含量逐渐下降,纳米棒逐渐增多。室温光致发光测试发现尺寸较小的纳米线阵列的紫外光发光强度比大尺寸纳米棒阵列高约5倍。持续激发光照射下,纳米线阵列的发光强度逐渐上升,停止光照后又逐渐下降到初始值,这可以用纳米线表面O2分子的解吸附和吸附过程来理解。 展开更多
关键词 ZNO纳米线 纳米棒 热蒸发法 光致发光
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多铁性HoMnO3外延薄膜的微结构研究
11
作者 于奕 章晓中 +2 位作者 杨军杰 王嘉维 赵永刚 《电子显微学报》 CAS CSCD 2013年第3期187-191,共5页
多铁性六方锰氧化物RMnO3(R=Y,Ho-Lu)具有丰富的结构与物理内涵,是近年来凝聚态物理与材料科学领域的研究热点。本文利用透射电子显微术对钇稳定氧化锆(yttria-stabilized zirconia,YSZ)基底上外延生长的HoMnO3薄膜的微结构进行表征。... 多铁性六方锰氧化物RMnO3(R=Y,Ho-Lu)具有丰富的结构与物理内涵,是近年来凝聚态物理与材料科学领域的研究热点。本文利用透射电子显微术对钇稳定氧化锆(yttria-stabilized zirconia,YSZ)基底上外延生长的HoMnO3薄膜的微结构进行表征。研究结果表明,c轴取向的HoMnO3薄膜可以在YSZ(111)基底上实现良好的外延。薄膜中的主要缺陷为异相边界(out-of-phase boundary,OPB)。OPB的产生归因于表面台阶机制和形核层机制。OPB缺陷处会出现化学计量比失衡,实验上观察到富Ho和富Mn两种类型的OPB,这些化学计量比失衡的缺陷会对薄膜的电学性能产生影响。本文研究结果有助于深入理解六方锰氧化物薄膜结构与物理性能之间的关系。 展开更多
关键词 多铁性 六方锰氧化物 透射电子显微术 异相边界
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高强度CrMo钢的EELS和EDS面扫描研究
12
作者 马钺 章晓中 袁俊 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期729-730,共2页
关键词 高强度CrMo钢 EELS EDS 面扫描 电子能量损失谱 合金钢 晶界分析 场发射电子显微镜
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由电子能量损失谱计算过渡金属d电子数的浮动窗口方法
13
作者 杨卫国 章晓中 袁俊 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期4-5,共2页
关键词 电子能量损失谱 过渡金属 电子数 浮动窗口 谱计算 高空间分辨率 电子结构 宏观性能
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Programmable Logic Based on Large Magnetoresistance of Germanium 被引量:1
14
作者 陈娇娇 朴红光 +2 位作者 罗昭初 熊成悦 章晓中 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2016年第4期121-125,共5页
We find extremely large low-magnetic-field magnetoresistance (~350% at 0.2 T and ~180% at 0.1 T) in germa- nium at room temperature and the magnetoresistanee is highly sensitive to the surface roughness. This unique... We find extremely large low-magnetic-field magnetoresistance (~350% at 0.2 T and ~180% at 0.1 T) in germa- nium at room temperature and the magnetoresistanee is highly sensitive to the surface roughness. This unique magnetoelectric property is applied to fabricate logic architecture which could perform basic Boolean logic in- cluding AND, OR, NOR and NAND. Our logic device may pave the way for a high performance microprocessor and may make the germanium family more advanced. 展开更多
关键词 of Programmable Logic Based on Large Magnetoresistance of Germanium INSB for in NAND IS on
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Theoretical and experimental study of energy transportation and accumulation in femtosecond laser ablation on metals 被引量:1
15
作者 谭新玉 张端明 +3 位作者 毛峰 李智华 易迪 章晓中 《中国有色金属学会会刊:英文版》 EI CSCD 2009年第6期1645-1650,共6页
The energy transportation and accumulation effect for femtosecond(fs)laser ablation on metal targets were studied using both theoretical and experimental methods.Using finite difference method,numerical simulation of ... The energy transportation and accumulation effect for femtosecond(fs)laser ablation on metal targets were studied using both theoretical and experimental methods.Using finite difference method,numerical simulation of energy transportation characteristics on copper target ablated by femtosecond laser was performed.Energy accumulation effects on metals of silver and copper ablated by an amplified Ti:sapphire femtosecond laser system were then studied experimentally.The simulated results show that the electrons and lattices have different temperature evolvement characteristics in the ablation stage.The electron temperature increases sharply and reaches the maximum in several femtoseconds while it needs thousands of femtoseconds for lattice to reach the maximum temperature.The experimental results show that uniform laser-induced periodic surface structures(PSS)can be formed with the appropriate pulsed numbers and laser energy density.Electron-phonon coupling coefficient plays an important role in PSS formation in different metals.Surface ripples of Cu are more pronounced than those of Au under the same laser energy density. 展开更多
关键词 激光烧蚀 能源运输 能量积累 金属钛 飞秒 实验 激光能量密度 电子温度
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Effect of interaction and temperature on quantum phase transition in anisotropic square-octagon lattice 被引量:1
16
作者 保安 张雪峰 章晓中 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第5期257-261,共5页
We investigate the effect of interaction, temperature, and anisotropic parameter on the quantum phase transitions in an anisotropic square-octagon lattice with fermions under the framework of the single band Hubbard m... We investigate the effect of interaction, temperature, and anisotropic parameter on the quantum phase transitions in an anisotropic square-octagon lattice with fermions under the framework of the single band Hubbard model through using the combination of cellular dynamical mean field theory and a continuous time Monte Carlo algorithm. The competition between interaction and temperature shows that with the increase of the anisotropic parameter, the critical on-site repulsive interaction for the metal-insulator transition increases for fixed temperature. The interaction-anisotropic parameter phase diagram reveals that with the decrease of temperature, the critical anisotropic parameter for the Mott transition will increase for fixed interaction cases. 展开更多
关键词 anisotropic square-octagon lattice FERMIONS quantum phase transition cellular dynamical mean field theory
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Magnetization of Co-Fe-Ta-B-O Amorphous Thin Films
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作者 熊成悦 陈澄 +3 位作者 孙雯 卢子尧 牟鸿铭 章晓中 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2019年第7期103-106,共4页
An amorphous magnetic material system(Co20Fe47Ta20B13)1-xOx is fabricated by magneto sputtering. Three stages of magnetization behavior exist when oxygen content changes in the system. As the oxygen increases, the abs... An amorphous magnetic material system(Co20Fe47Ta20B13)1-xOx is fabricated by magneto sputtering. Three stages of magnetization behavior exist when oxygen content changes in the system. As the oxygen increases, the absence of percolation effect of magnetic nano-particles makes the multi-domain structure broken so that high coercivity appears in the samples with proper oxygen content. A temperature-dependent Stoner–Wohlfarth model is used to explain the magnetization properties at relatively high temperature. Magnetizations with magnetic field in and out of the sample plane are also investigated to prove the mechanisms. This work provides a systematic study of a new kind ofv amorphous magnetic system and is helpful for us to know more about this type of material. 展开更多
关键词 An AMORPHOUS MAGNETIC fabricated by MAGNETO this type of MATERIAL
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Quantum phase transitions of fermionic atoms in an anisotropic triangular optical lattice
18
作者 保安 陈耀桦 章晓中 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第11期216-221,共6页
The effect of anisotropy caused by a confining potential on the properties of fermionic cold atoms in a triangular optical lattice is systematically investigated by using the dynamical cluster approximation combined w... The effect of anisotropy caused by a confining potential on the properties of fermionic cold atoms in a triangular optical lattice is systematically investigated by using the dynamical cluster approximation combined with the continuous time quantum Monte-Carlo algorithm. The quantum phase diagrams which reflect the temperature-interaction relation and the competition between the anisotropic parameter and the interaction are presented with full consideration of the anisotropy of the system. Our results show that the system undergoes a transition from Fermi liquid to Mott insulator when the repulsive interaction reaches a critical value. The Kondo effect also can be observed in this system and the pseudogap is suppressed at low temperatures due to the Kondo effect. A feasible experiment protocol to observe these phenomena in an anisotropic triangular optical lattice with cold atoms is proposed, in which the hopping terms are closely related to the lattice confining potential and the atomic interaction can be adjusted via the Feshbach resonance. 展开更多
关键词 triangular optical lattice cold atoms cluster dynamical approximation
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Evolution of domain structure in Fe_(3)GeTe_(2)
19
作者 尹思琪 赵乐 +8 位作者 宋成 黄元 顾有地 陈如意 朱文轩 孙一鸣 江万军 章晓中 潘峰 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第2期138-143,共6页
Two-dimensional(2D)magnets provide an ideal platform to explore new physical phenomena in fundamental magnetism and to realize the miniaturization of magnetic devices.The study on its domain structure evolution with t... Two-dimensional(2D)magnets provide an ideal platform to explore new physical phenomena in fundamental magnetism and to realize the miniaturization of magnetic devices.The study on its domain structure evolution with thickness is of great significance for better understanding the 2D magnetism.Here,we investigate the magnetization reversal and domain structure evolution in 2D ferromagnet Fe_(3)GeTe_(2)(FGT)with a thickness range of 11.2-112 nm.Three types of domain structures and their corresponding hysteresis loops can be obtained.The magnetic domain varies from a circular domain via a dendritic domain to a labyrinthian domain with increasing FGT thickness,which is accompanied by a transition from squared to slanted hysteresis loops with reduced coercive fields.These features can be ascribed to the total energy changes from exchange interaction-dominated to dipolar interaction-dominated with increasing FGT thickness.Our finding not only enriches the fundamental magnetism,but also paves a way towards spintronics based on 2D magnet. 展开更多
关键词 Fe_(3)GeTe_(2) two-dimensional magnet thickness dependent domain structure
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Voltage-Induced Effect on Resistance of C:N/Si Heterojunctions
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作者 高熙礼 章晓中 +1 位作者 万蔡华 王集敏 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2012年第2期178-181,共4页
Nitrogen doped a-C/Silicon (a-C:N/Si) heterojunctions have been fabricated by using the pulsed laser deposition (PLD) technique and their current-voltage characteristics at various temperatures are investigated.For re... Nitrogen doped a-C/Silicon (a-C:N/Si) heterojunctions have been fabricated by using the pulsed laser deposition (PLD) technique and their current-voltage characteristics at various temperatures are investigated.For reverse applied voltages,a-C:N/Si heterojunctions exhibit metal-insulator transition characteristics and the transition temperature can be controlled by the applied voltages.After the excitation of repeated high reverse applied voltages,the current-voltage curves show obvious hysteresis behaviors at low temperatures.These hysteresis behaviors are reproducible and the ratio of the high/low resistance can be greater than 104. 展开更多
关键词 HYSTERESIS C:N VOLTAGE
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