一种快速建立的低噪声带隙基准源设计与实现

基于UMC 65nm CMOS工艺设计实现了一种快速建立的低噪声带隙基准源.利用工作在深线性区的MOS管实现了GΩ级别大电阻,因此仅采用5pF的电容即实现了截止频率低至32Hz的带开关低通滤波器,有效降低了带隙基准源输出噪声.有源器件的采用大大节省了芯片面积,降低了制作成本.通过采用上电延时电路去控制低通滤波器工作状态,克服了采用大阻值电阻或大容值电容低通滤波器降噪面临的缓慢建立问题,实现了快速建立.通过Spectre仿真器对电路在1.8V电源电压下进行了仿真,后仿真结果表明,电路在10kHz、100kHz、1MHz的输出噪声分别为:11.76nV/sqrtHz、1.213 nV/sqrtHz、336.8 pV/sqrtHz,电路的建立时间为1.436μs,整体功耗为104.4μW.本文设计已在实际芯片中得到应用,并取得了预期效果.