从一开始就要严抓

从一开始就要严抓章立源：北京市政协常委，民盟北京市委副主委北京大学物理系教授今年四月，在北京市政协的八届二次会议上，一些政协委员为贯彻落实《教师法》及《中国教育改革和发展纲要》，大声疾呼：一、既执法，就要“严”。有了《教师法》，究竟能否严格执行，其结...

高温铜氧化物超导体的某些新进展评论

文中对近年来有关高温铜氧化物超导体(HTS)的某些重要实验的进展情况作了评述。强调目前处于HTS实验研究应起主导作用的阶段,特别是对HTS电子液体中反常电荷分布的观察,察微观瞬的技术改进实验结果,有助于解决对HTS超导机制的争论。对HTS的应用基础技术提出了建议方向。

超导物理及技术研究之现状、发展鸟瞰

第19届国际低温物理大会(以下简称LT19)于1990年8月在英国召开,大会检阅了三年来国际上在低温物理学领域内的主要进展,其中超导电性方面的论文约占总数35％。

超导及其应用前景

自1911年卡末林-昂内斯(Heike Kamerlingh Onnes)发现超导电性以来,90多年过去了.迄今,在这一领域研究的科学工作者,有五批获得了诺贝尔奖.它们标志着在开拓这一研究的领域中具有的突破性的进展,基于这些进展取得了重大应用的前景或在理论概念上确立了对其他研究领域也有相当可借鉴处的成果.

发现超导体100周年——兼贺《物理通报》出版30周年

材料的发展是人类历史文明的支柱.在现代,随着科学技术进展步伐的加快,对材料功能多样化、优异化、超精细化以及适应器件节能化、微型化的要求日趋苛刻.从一定意义上讲,材料的发展是发展国民经济、发展科学技术的基础，是国家在科技竞争中的关键之一．

2003年的诺贝尔物理奖

2003年的诺贝尔物理奖授予了低温物理领域的三位物理学家,他们是Alexei A.Abrikosov(阿布里柯索夫),Vitaly L.Ginzburg(京茨堡)以及Anthony J.Leggett(莱格特).此奖用以表彰前两者在超导电性方面的贡献,后者为在超流方面作出的贡献.

低温物理领域的开拓者——卡末林-昂内斯

1卡末林-昂内斯的青年时代 1853年9月21日卡末林-昂内斯出生于荷兰的Groningen.他的父亲拥有一制瓦厂,但他的母亲艺术素养颇佳,深深影响了他.他的姐夫是当时Leiden有些名气的画家.卡末林-昂内斯年轻时也曾涉猎诗歌.

20世纪超导发展给予的启示——写在将跨入21世纪之际

人类已经走近了21世纪,倒计时不到一年了。报刊上不断传来世纪回顾的事:'回顾20世纪人类重大灾难研讨会'、'世界医学十项新进展',少数弦论研究者谈论其学科本应属于21世纪的物理学却意外地掉到了20世纪……。是啊!20世纪科技迅速发展,人类却同时遭遇两次世界大战。面对高科技激烈竞争的21世纪,回顾与展望科技发展,它将给人类带来什么?这是一个值得探讨的课题。

短周期(AlAs)_n/(GaAs)_n(n≤10)超晶格表面、界面和体内的电子结构

在紧束缚近似下,本文首次采用Recursion方法,对(AlAs)_n/(GaAs)_n(n≤10)短周期超晶格的表面、界面和体内电子结构进行了详细计算.给出了它的总态密度(TDOS)、局部态密度(LDOS)和分波态密度(PDOS).由此证明了界面的影响,并得到了Al,Ga和As原子的原子价.超晶格有序势使(AIAs)_n/(GaAs)_n的直接带隙变窄,这表明了它与无序合金Al_xGa_(1-x)As之间物理性质的差别.同时直接证实了(001)表面原子的成键方式将引起退杂化SP_2+P_γ-P_y发生.本文结论优于已有的理论报道,并与最近的实验数据符合很好.

HgBa_2 CaCu_2 O_(6+δ)的内层电子激发能的密度泛函理论研究(英文)

运用相对论的自旋极化局域密度函数方法计算了HgBa2 CaCu2 O6+δ 的电子结构。得到的内层电子激发能基本上与X光电子谱一致 ,其中自旋

杂质和空位对AlAs/GaAs超晶格电学性质的影响

在紧束缚近似基础上,本文采用Recursion方法首次计算了含有杂质和空位的短周期AlAs/GaAs超晶格电子结构。局域态密度和分波态密度的计算结果清楚地反映了少量无序杂质和空位在AlAs/GsAs中的局部细节以及对材料本身电学性质的影响。在具有点缺陷(杂质或空位)的AlAs/GaAs材料能隙中将出现新能级,本文计算了它们的位置。同时利用对原子价的讨论发现体内点缺陷周围存在一个电中心,而界面点缺陷产生一个局域电场,它将导致电荷分布的转移。比较了杂质和空位的影响,并进一步证明在所有情况下它们的作用是高度局域的。

高压下高温超导材料YBa_2Cu_3O_7的电子结构

本文选用拟合能带的 Harrison参数构造紧束缚哈密顿矩阵,采取Recursion 方法计算了 YBa_2Cu_3O_7晶体在常压下与9 GPa高压下(此时晶格常数压缩 3％)的电子结构。讨论了高压对于电子结构的影响。给出了高压下费米面移动、能带展宽和各晶位原子价变化的定量结果。

掺杂C_(60)超导体的电子结构、物理性质及其超导机制

由足球型状的Ｃ６０分子构成的Ｃ６０固体是碳元素的一种新的存在形式，掺杂Ｃ６０固体是一种新型的有机超导体，其中ＲｂＣｓ２Ｃ６０的Ｔｃ创下了有机超导体超导转变温度的最高纪录。文中将就掺杂Ｃ６０超导体的电子结构、物理性质、超导机制作一概括的介绍。

双成分负U模型的赝隙形成及其核弛豫行为

利用格林函数退耦合方法研究了双成分负Ｕ模型单粒子激发谱。为包含部分涨落效应在运动方程的第三步作退耦合近似。研究结果表明，在激发谱中存在赝隙。此外，计算得到的核自旋－晶格弛豫率与过掺杂的高温超导体的行为相符。

两个严格可解双原子分子势函数的散射态解与转动修正

文献［１］中提出了一个新的势函数，其Ｓｃｈｒｄｉｎｇｅｒ方程严格可解。同时提出一个新的变量变换关系，用超几何级数严格求解了双曲型ＰｓｃｈｌＴｅｌｅｒ分子势Ｓｃｈｒｄｉｎｇｅｒ方程的束缚态。文内进一步讨论这两个势函数Ｓｃｈｒｄｉｎｇｅｒ方程散射态的严格解，并求出了Ｓ波的散射相移。文献中关于修正ＰｓｃｈｌＴｅｌｅｒ势及无反射势散射态的结果均作为特例包含在这篇文章更一般的结论之中。此外还用一个简单的方法考虑了转动能修正。

掺杂C_（60）超导体研究进展

较全面介绍了修杂Ｃ（６０）超导体实验和理论研究的新进展．

Bi_(2-x)Pb_xSr_2CaCu_2O_(8+δ)的温差电势率理论分析

以局域对温差电势率的理论分析Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ正常态的温差电势率。结果表明此理论与实验一致。指出高温超导系统作为双成分系统（近局域化的负Ｕ中心子系统和巡游载流子子系统），随温度下降出现了退局域化过程。

三重态双极化子系统的超导与铁磁共存

采用对称破缺的Hartree平均场近似,讨论了三重态双极化子系统的超导和铁磁共存问题。我们发现,系统的基态是铁磁超导混合态,这与BCS超导的情形不同。在双极化子的低密度区域,只有从正常态到混合态的转变;而在高密度区域,随着温度的降低,系统可能将首先转变到铁磁态,然后转变到铁磁超导混合态。当系统已经具有超导电性时,不可能发生到铁磁态的相变。

高压对高温超导体La_（1．85）Sr_（0．15）CuO_4电子结构的影响

采用Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法计算了常压和１ＧＰａ、４ＧＰａ、８ＧＰａ高压下Ｌａ＿（１．８５）Ｓｒ＿（０．１５）ＣｕＯ＿４的电子结构，给出了费米能、费米能处态密度以及各晶位原子价的定量变化。结果表明：高压下Ｔ＿ｃ的变化可能源于ＣｕＯ＿２面上氧空穴和铜空穴数目的改变，且氧空穴数目的增加有利于超导性。

Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)正常态霍尔系数的理论分析

以基于高温超导体双成分模型的近局域对理论分析Bi2 Sr2 CaCu2 O8+δ正常态霍尔系数的温度行为 ,得到与实验相符的结果。指出赝隙随温度降低的不断加深导致了霍尔系数在比Tc 略高的温度出现正的极大值 。