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NiAl-Cr(Mo)基共晶合金显微组织与力学性能的研究
被引量:
1
1
作者
章竞予
《贵州大学学报(自然科学版)》
2008年第6期619-624,共6页
通过在NiAl-Cr(Mo)合金中添加Ti、Hf、Nb、W难熔金属研究其铸态合金、经热处理后和定向凝固合金的显微组织和力学性能。研究结果表明,铸态合金中存在4个相,即NiAl相,α-Cr固溶体,Cr2Nb相和Ni2Al(Ti,Hf)相,其高温强度得到提高,在1100℃...
通过在NiAl-Cr(Mo)合金中添加Ti、Hf、Nb、W难熔金属研究其铸态合金、经热处理后和定向凝固合金的显微组织和力学性能。研究结果表明,铸态合金中存在4个相,即NiAl相,α-Cr固溶体,Cr2Nb相和Ni2Al(Ti,Hf)相,其高温强度得到提高,在1100℃的屈服强度是467MPa,室温压缩塑性是17.87%;经处理后的铸态合金和定向凝固合金中无Cr2Nb相,转变为富含Hf的(Hf,Ti,Nb)相;定性凝固合金的屈服强度优于铸态合金,其断裂韧性比铸态合金提高31%。
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关键词
NiAl-Cr(Mo)共晶合金
定向凝固
显微组织
力学性能
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职称材料
Mg膜厚度对Mg_2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响
2
作者
杨云良
廖杨芳
+4 位作者
姚震震
肖清泉
张宝晖
章竞予
谢泉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期525-530,共6页
采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4 h制备一系列Mg2Si半导体薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品...
采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4 h制备一系列Mg2Si半导体薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品的结构、表面形貌、剖面进行表征,研究了Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜生成的影响。结果表明,在Si衬底上制备出以Mg2Si(220)为主的单一相Mg2Si薄膜,且Mg2Si(220)的衍射峰强度随着Mg膜厚度的增加先增大后减小,Mg膜为2.52μm时,制备的Mg2Si薄膜表现出了良好的结晶度和平整度。最后,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜方块电阻的影响。
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关键词
磁控溅射
热处理
Mg2Si薄膜
薄膜厚度
方块电阻
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职称材料
题名
NiAl-Cr(Mo)基共晶合金显微组织与力学性能的研究
被引量:
1
1
作者
章竞予
机构
北京航空航天大学材料科学与工程学院
出处
《贵州大学学报(自然科学版)》
2008年第6期619-624,共6页
文摘
通过在NiAl-Cr(Mo)合金中添加Ti、Hf、Nb、W难熔金属研究其铸态合金、经热处理后和定向凝固合金的显微组织和力学性能。研究结果表明,铸态合金中存在4个相,即NiAl相,α-Cr固溶体,Cr2Nb相和Ni2Al(Ti,Hf)相,其高温强度得到提高,在1100℃的屈服强度是467MPa,室温压缩塑性是17.87%;经处理后的铸态合金和定向凝固合金中无Cr2Nb相,转变为富含Hf的(Hf,Ti,Nb)相;定性凝固合金的屈服强度优于铸态合金,其断裂韧性比铸态合金提高31%。
关键词
NiAl-Cr(Mo)共晶合金
定向凝固
显微组织
力学性能
Keywords
NiAl-Cr(Mo) euteetic alloy, directional solidification, microstructure, mechanical properties
分类号
TG146 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
Mg膜厚度对Mg_2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响
2
作者
杨云良
廖杨芳
姚震震
肖清泉
张宝晖
章竞予
谢泉
机构
贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期525-530,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61264004)
贵州省科技攻关资助项目(黔科合GY字[2011]3015)
+9 种基金
贵州省科技创新人才团队建设专项资金资助项目(黔科合人才团队[2011]4002)
贵州省国际科技合作资助项目(黔科合外G字[2012]7004
[2013]7003)
贵州省教育厅"125"重大科技专项资助项目(黔教合重大专项字[2012]003)
贵阳市科技计划资助项目(筑科合同[2012101]2-16)
贵州省自然科学基金资助项目(黔科合J字[2014]2052)
贵州省青年英才培养工程资助项目(黔省专合字[2012]152)
贵州省科技厅
贵州大学联合资金资助项目(黔科合LH字[2014]7610)
贵州大学研究生创新基金资助项目(研理工2014004)
文摘
采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4 h制备一系列Mg2Si半导体薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品的结构、表面形貌、剖面进行表征,研究了Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜生成的影响。结果表明,在Si衬底上制备出以Mg2Si(220)为主的单一相Mg2Si薄膜,且Mg2Si(220)的衍射峰强度随着Mg膜厚度的增加先增大后减小,Mg膜为2.52μm时,制备的Mg2Si薄膜表现出了良好的结晶度和平整度。最后,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜方块电阻的影响。
关键词
磁控溅射
热处理
Mg2Si薄膜
薄膜厚度
方块电阻
Keywords
magnetron sputtering
heat treatment
Mg2Si film
film thickness
sheet resistance
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NiAl-Cr(Mo)基共晶合金显微组织与力学性能的研究
章竞予
《贵州大学学报(自然科学版)》
2008
1
下载PDF
职称材料
2
Mg膜厚度对Mg_2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响
杨云良
廖杨芳
姚震震
肖清泉
张宝晖
章竞予
谢泉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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