飞秒激光直写辅助等离子体刻蚀制备达曼光栅器件

采用飞秒激光直写技术在蒸镀在薄膜铌酸锂的金属铬膜上加工掩模版,结合电感耦合等离子体刻蚀技术,将掩膜图案转移到薄膜铌酸锂上,成功在薄膜铌酸锂平台上制备出了220 nm厚的具有高保真度的达曼光栅器件。采用波长为532 nm的连续激光器作为光源,搭建了测试光路,对光栅结构的衍射性能进行了表征。测试结果表明:制备的二维达曼光栅表现出良好的分光结果,能够衍射出分光阵列数为2×2、3×3、4×4的均匀光强点阵,制备的涡旋达曼光栅具有较高的涡旋光束产生效率,能够衍射出分光阵列数为1×2的涡旋光束阵列,耦合实验结果与理论仿真结果吻合。