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电流冲击对长波光导MCT探测器的影响
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作者 刘大福 吴礼刚 +3 位作者 徐国森 章连妹 靳秀芳 龚海梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期314-317,共4页
对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示:短时间(42mA,70h)的电流冲击对探测... 对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示:短时间(42mA,70h)的电流冲击对探测器性能影响不大,探测器组分减小,截止波长变长;冲击时间长到(42mA,100h)一定程度后,探测器性能有不同程度的下降,组分变大,截止波长变短.这是因为电流产生的热效应加强了Hg扩散效应,从而使器件截止波长发生变化. 展开更多
关键词 电流冲击 MCT 光导探测器 响应光谱 少子寿命
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