新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性。

掺杂浓度对槽栅nMOSFET特性的影响研究

讨论了槽栅结构nMOSFET的掺杂浓度对器件特性的影响,并通过二维器件仿真程序PISCES-II进行了计算模拟比较。结果表明,提高衬底掺杂浓度,能使源漏区与沟道之间的拐角效应增大,对热载流子效应抑制的作用明显;提高沟道掺杂浓度,能减小沟道电荷的调制效应,使阈值电压更好。调节沟道掺杂浓度比调节衬底掺杂浓度对器件的影响更大。

玻耳兹曼输运模型有限元数值解误差分析的研究

文章应用有限元方法的器件玻耳兹曼输运模型进行了误差分析.模型与模拟结果表明扰动误差是在有限元积分的网格剖分加密过程中产生的,提高数值精度是改进稳定性的途径之一.

深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型

深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型。本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程序CMOSIS进行了模拟验证。

片上系统中的IP复用

ＩＰ（Ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｙ）复用技术是提高片上系统设计效率、缩短设计周期的一个关键。本文简要介绍了ＩＰ产生的原因、ＩＰ的概念与分类，分析了可复用ＩＰ的设计流程及相关工具，探讨了片上系统设计中的ＩＰ复用以及当前面临的主要问题，最后指出了ＩＰ的市场前景和未来发展趋势。

IEEE1394:未来总线

IEEE1394是一种串行总线标准，它通过提供一个高带宽、易使用和低价格的接口，将电脑与电脑外部设备、各种家用电器连接起来。文章主要介绍了 IEEE1394总线标准，着重分析了 IEEE1394电缆和接头、体系结构、性能特点等，探讨了 IEEE1394在数字视频、海量存储、家庭网络和无线通讯等领域的应用，最后指出了 IEEE1394未来发展趋势。

新型槽栅nMOSFET凹槽拐角效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序PISCES Ⅱ ,模拟计算了新型槽栅结构器件中凹槽拐角效应的影响与作用 ,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应、阈值电压特性等的影响 .槽栅结构的凹槽拐角效应对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,并且拐角结构在 4 5°左右时拐角效应最大 .调节拐角与其他结构参数 ,器件的热载流子效应、阈值电压特性、亚阈值特性。