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β-FeSi_2半导体薄膜的研究进展
被引量:
1
1
作者
周幼华
童恒明
乔燕
《江汉大学学报(自然科学版)》
2007年第2期26-29,共4页
综述了半导体β-FeSi2薄膜的制备、薄膜的表征、能带的特点、电学、光学性质等方面的研究进展,讨论了几种用于Si衬底上外延生长β-FeSi2薄膜方法的优缺点,分析了制备高品质β-FeSi2薄膜所存在的理论和技术上的难题,展望了β-FeSi2薄膜...
综述了半导体β-FeSi2薄膜的制备、薄膜的表征、能带的特点、电学、光学性质等方面的研究进展,讨论了几种用于Si衬底上外延生长β-FeSi2薄膜方法的优缺点,分析了制备高品质β-FeSi2薄膜所存在的理论和技术上的难题,展望了β-FeSi2薄膜作为新光电材料的应用前景.
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关键词
Β-FESI2
半导体薄膜
Si基发光
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职称材料
题名
β-FeSi_2半导体薄膜的研究进展
被引量:
1
1
作者
周幼华
童恒明
乔燕
机构
江汉大学物理与信息工程学院
武汉市东西湖区教育局
出处
《江汉大学学报(自然科学版)》
2007年第2期26-29,共4页
基金
自然科学基金(10604018)
高等学校博士学科点专项科研基金(20060487006)
文摘
综述了半导体β-FeSi2薄膜的制备、薄膜的表征、能带的特点、电学、光学性质等方面的研究进展,讨论了几种用于Si衬底上外延生长β-FeSi2薄膜方法的优缺点,分析了制备高品质β-FeSi2薄膜所存在的理论和技术上的难题,展望了β-FeSi2薄膜作为新光电材料的应用前景.
关键词
Β-FESI2
半导体薄膜
Si基发光
Keywords
β-FeSi2
semiconducting thin film
Si-base luminescence
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
β-FeSi_2半导体薄膜的研究进展
周幼华
童恒明
乔燕
《江汉大学学报(自然科学版)》
2007
1
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