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电容耦合三结单电子晶体管特性分析
被引量:
1
1
作者
童明照
蒋建飞
蔡琪玉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期603-608,共6页
本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型,研究了三结单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较.结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结单电子...
本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型,研究了三结单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较.结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结单电子晶体管与两结单电子晶体管相比较。
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关键词
电容耦合
三结
晶体管
单电子晶体管
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职称材料
电容耦合三结高温超导单电子晶体管数值模拟
2
作者
童明照
蒋建飞
蔡琪玉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期263-268,共6页
基于单电子隧道效应的半经典模型,研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结高温...
基于单电子隧道效应的半经典模型,研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结高温超导单电子晶体管比两结高温超导单电子晶体管有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力。
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关键词
库仑阻塞
单电子隧道效应
单电子晶体管
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职称材料
电容耦合互补型单电子晶体管逻辑单元的数值模拟
被引量:
2
3
作者
黄萍
蒋建飞
+1 位作者
蔡琪玉
童明照
《固体电子学研究与进展》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期357-362,共6页
根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管 (SET)开关单元、p沟 SET开关单元以及互补型 SE...
根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管 (SET)开关单元、p沟 SET开关单元以及互补型 SET开关单元的电容电压电荷方程 ,然后根据隧穿前后系统自由能的变化来确定系统的隧穿率 ,建立电流 -电压方程来决定开关特性而得到的。
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关键词
单电子晶体管
电容耦合
逻辑单元
数值模拟
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职称材料
题名
电容耦合三结单电子晶体管特性分析
被引量:
1
1
作者
童明照
蒋建飞
蔡琪玉
机构
上海交通大学微电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期603-608,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型,研究了三结单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较.结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结单电子晶体管与两结单电子晶体管相比较。
关键词
电容耦合
三结
晶体管
单电子晶体管
Keywords
Electron tunneling
Mathematical models
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
电容耦合三结高温超导单电子晶体管数值模拟
2
作者
童明照
蒋建飞
蔡琪玉
机构
上海交通大学微电子研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期263-268,共6页
基金
国家自然科学基金!69671005
文摘
基于单电子隧道效应的半经典模型,研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结高温超导单电子晶体管比两结高温超导单电子晶体管有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力。
关键词
库仑阻塞
单电子隧道效应
单电子晶体管
Keywords
Coulumn Blockade Single Tunneling Effect Nanometer Tunnel Junction Single Electron Transistor
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
电容耦合互补型单电子晶体管逻辑单元的数值模拟
被引量:
2
3
作者
黄萍
蒋建飞
蔡琪玉
童明照
机构
上海交通大学微电子研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期357-362,共6页
基金
国家自然科学基金!( 69890 2 2 4 )
上海 AM基金!( 980 0 9)资助
文摘
根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管 (SET)开关单元、p沟 SET开关单元以及互补型 SET开关单元的电容电压电荷方程 ,然后根据隧穿前后系统自由能的变化来确定系统的隧穿率 ,建立电流 -电压方程来决定开关特性而得到的。
关键词
单电子晶体管
电容耦合
逻辑单元
数值模拟
Keywords
single electron transistor
nanometer tunnel junction
column blockade
single tunneling effe
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电容耦合三结单电子晶体管特性分析
童明照
蒋建飞
蔡琪玉
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
下载PDF
职称材料
2
电容耦合三结高温超导单电子晶体管数值模拟
童明照
蒋建飞
蔡琪玉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
下载PDF
职称材料
3
电容耦合互补型单电子晶体管逻辑单元的数值模拟
黄萍
蒋建飞
蔡琪玉
童明照
《固体电子学研究与进展》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
2
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职称材料
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0
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参考文献
引证文献
统计分析
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