副文本视阈下政治文献英译注释研究

政治文献外译是一项跨文化对外宣传行为,是争取和影响国际舆论、推动我国社会主义现代化建设的一项重要工作。讲好中国故事,传播好中国声音已成为新征程上我国对外宣传工作的核心任务。政治文献中的注释翻译作为一种重要的副文本,在文献文本翻译的跨文化交流与传递中发挥着重要作用。本文以《习近平谈治国理政》英译本为例,在副文本理论视阈下结合语料分析,挖掘译本中使用的注释副文本内容,探究政治文献英译注释的类型、功能及其背后蕴含的译者翻译理念,探索副文本研究在翻译研究中的学术价值,从而更深入地理解政治文献的英译策略与外宣效果。

动态光环境的构建及其在密闭环境和医院的应用

自然光环境呈24 h稳定的周期性变化,有效地同步人体的生物节律。在缺少自然光照以及倒班的环境中,模拟自然光照的人工光环境对保持生物节律,避免和改善与节律紊乱相关的疾病是非常重要的。通过分析自然光的特点,对动态光源光谱的司晨节律因子(CAF)的变化、色温变化、光谱的连续性及显色指数等做出规定。在地下室、极地环境及其他长期人工光源环境等密闭空间中,仿自然光动态变化、高显色性、高光谱连续性的特点,都有利于生物节律及节律相关的睡眠、警觉性和认知表现。动态光环境作为一种非侵入式治疗方式,在节律相关疾病的治疗中得到广泛应用。针对医护等轮班工作人员开发的动态光环境,在夜晚呈现低色温、中等照度、高显色性等特点,能帮助轮班工作人员保持生物节律稳定、改善主观体验。

不同LED光质对莞香灵芝子实体生长发育的影响

目的研究5种LED光质对莞香灵芝子实体生长发育及其主要活性成分的影响。方法将不同光质的LED光源设为光照条件(红、蓝、黄、绿、白光为处理组,黑暗为黑暗组),对灵芝子实体进行培养,观察其生长速率、形态、多糖含量及三萜含量。结果红、绿、黄、白、蓝5种光质处理组的灵芝子实体菌盖直径和干重均大于黑暗组(P<0.01或0.05),黄光组的子实体干重最大(P<0.01或0.05),灵芝子实体出芝数和菌盖厚度与黑暗组比较差异无统计学意义(P>0.05)。在灵芝的5个生长时期,蓝光组的多糖含量均明显高于其他各组(P<0.01);现蕾期、开伞期、弹孢前期,黄光组多糖含量高于除蓝光组外的其他各组(P<0.01);弹孢后期,白光组的多糖含量显著高于除蓝光组外的其他各组(P<0.01)。芝盖形成期,红光组的灵芝三萜含量低于其他各组(P<0.01);弹孢前期,绿、白、红和蓝光组的灵芝三萜含量高于黑暗组(P<0.01或0.05)。现蕾期、开伞期和弹孢后期,各组灵芝三萜含量比较差异无统计学意义(P>0.05)。结论5种LED光质均影响莞香灵芝子实体的生长发育及其主要活性成分的生成,应根据各光质对灵芝子实体影响效果不同的特点合理安排光照。

高浓度Mg掺杂GaN的电学和退火特性研究

对高浓度Mg掺杂GaN在常规热退火和快速热退火前后的材料质量和电学特性进行了研究。X 射线衍射测量表明 ,重掺杂导致了GaN质量的下降 ,退火后略有恢复。霍尔测量表明 ,Cp2 Mg :TMGa的流量比小于 1:2 6.3时 ,退火后空穴浓度可达到 2× 10 18cm- 3;当Cp2 Mg :TM Ga的流量比为 1:2 1.9时 ,得到的高阻GaN在常规热退火和快速热退火后均只为弱 p型 ,存在明显的施主补偿现象。这被认为是重掺杂导致晶格缺陷增多 ,引入了施主能级 。

GaN薄膜的微区Raman散射光谱

报道了低压 MOCVD生长的同一 Ga N薄膜不同位置的微区 Raman散射光谱 .观测到了微区结构不完整对 Raman谱的影响 .通过 X射线衍射分析 ,证实了该样品晶体质量是不均匀的 ,而且微结构缺陷的存在是导致回摆曲线展宽的主要原因 .结合 Hall测量结果 ,对 Ga N薄膜的 Al( L O)模式的移动进行了电声子相互作用分析 ,认为 A1 ( LO)模式的移动可能与电声子相互作用无关 ,而是受内部应力分布不均匀的影响所致 .

MOCVD生长AlGaAs-GaAs DBR及其特性

本文报导了任意铝组分的AlGaAs材料的MOCVD外延生长和控制,解决了MOCVD生长高铝组分AIGaAs这一难题。国内首次运用MOCVD技术生长出高反射率的适合于垂直腔面发射激光器的AlGaAs-GaAs四分之一波长的分布布拉格反射镜(DBR)结构。用高分辨透射电镜观察得出,该DBR有良好的周期性、厚度均匀和界面平直。测得其反射率为94％,响应波长为820nm-868nm。

MOCVD生长GaN的喇曼散射谱

对在ＧａＡｓ（００１）、Ａｌ２Ｏ３（０００１）和Ｓｉ（１１１）等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到了α相ＧａＮ的Ａ１（ＬＯ）模、Ａ１（ＴＯ）模、Ｅ１（ＬＯ）模和Ｅ２模．结合Ｘ射线衍射谱，分析了因不同生长工艺导致ＧａＮ／ＧａＡｓ样品的不同结构相的喇曼谱的差异，发现ＧａＮ的喇曼谱与ＧａＮ外延层的结构相、完整性及工艺条件有关，可利用其作为检测ＧａＮ外延层结构特性的一种有用手段．对含有少量β相ＧａＮ样品，观测到了包含有β相ＧａＮ贡献的声子模式（７４０ｃｍ－１）．

InGaAsSb四元固溶体的团簇效应

在Ｏｎａｂｅ工作的基础上，使用对相互作用模型对于Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ１－ｙＳｂｙ四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值（ｘ，ｙ）进行了计算．结果表明团簇效应在该系统中严重存在．计算了对分布几率随组分值和温度的变化．对于该效应对固溶隙计算的影响作了讨论．

InGaN混溶隙的计算

采用正规溶液模型和价带力 (Valence- Force- Field)模型 ,引入晶格失配应力对系统(In Ga N/ Ga N)自由能的影响 ,考虑相互作用系数和弹性常数对组分的依赖 ,计算了 In Ga N/ Ga N体系的混溶隙 .结果表明 ,应力的存在使得 In Ga N的混溶隙向富 In N方向移动并产生不对称 ,体系发生相分离的最高临界温度也降低到 1 0 0 0 K左右 .同时 ,深入计算了有效弹性常数对混溶隙的影响 .并进一步把该计算推广到 Inx Ga1 -x N/ Iny Ga1 -y

LP－MOCVD生长InGaN单晶薄膜

报道了以Ａｌ２Ｏ３为衬底在ＧａＮ薄膜上ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＩｎＧａＮ单晶薄膜，并研究了ＩｎＧａＮ的生长特性。实验给出了ＩｎｘＧ１－ｘＮ合金的固相组分与汽相组分和生长温度的变化关系，并应用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｘ射线回摆曲线（ＸＲＣ）和室温光致荧光（ＰＬ）谱等技术对外延层的晶体质量、完整性和发光特性进行了分析。发现ＩｎＧａＮ／ＧａＮ系统中保持适当的压应力有助于提高外延层的晶体完整性，减少非故意掺杂杂质的引入，能改善外延层的发光特性。

AlGaN薄膜的微区Raman散射光谱研究

利用微区Ｒａｍａｎ散射技术，对低压ＭＯＣＶＤ生长的不同Ａｌ组分的ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜（ｘ＝０，０．０７，０．１５）进行了背散射Ｚ（Ｘ，Ｘ）Ｚ－几何配制下的测量．Ａ１（ＬＯ）模式的声子频移随Ａｌ组分的变化关系为：ω（ＡｌｘＧａ１－ｘＮ）＝（１＋０．２２０ｘ）ω（ＧａＮ）．观察到了Ａ１（ＬＯ）模式由于空间相关效应引起的展宽．Ｅ２模式随Ａｌ组分的的增大产生的移动很微小，但趋于展宽．这被认为是Ｅ２模式的声子频移随Ａｌ组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Ａｌ组分的增加而减小共同作用的结果．在多种配置下，观察到了Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎ薄膜的Ａ１（ＴＯ）模式、Ａ１（ＬＯ）模式、Ｅ１（ＴＯ）模式和Ｅ２模式．验证了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜的Ｒａｍａｎ选择定则．表明ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜具有单模行为．

白光LED的加速老化特性

对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿着螺旋位错聚集及移动的结果;电容-电压(C-V)曲线中反向偏压下电容减少,正向偏压下电容增大,这是由于螺位错和混合位错产生了漏电的通道;电致发光光谱中黄光荧光成分比重增加;光通量随时间开始缓慢降低,在某一个时刻突然急剧降低,显示各个老化因素累积的影响会在某一时刻导致白光LED突然失效。最后使用阿列纽斯关系计算出所用白光LED的寿命为2.3万小时。

GaN基白光LED的结温测量

用正向电压法、管脚法和蓝白比法等三种方法测量GaN基白光LED的结温,获得了较为准确的结温,误差可以控制在4℃以内。正向电压法在恒定电流的条件下,得到了正向电压与结温的线性关系;蓝白比法在不同环境温度和不同注入电流两种情况下,都得到了蓝白比与结温较好的线性关系。提出了蓝白比法可能的物理机制,提高环境温度和增大注入电流都会使结温升高,蓝光峰值波长也会改变,这两个因素都会影响荧光粉的激发和发光效率。降低结温需要考虑的主要因素有白光LED的接触电阻、串联电阻和外量子效率,封装材料的热导率,反射杯和管脚的设计,以及空气散热部分的散热面积等。

实现大范围均匀照明的LED透镜二次光学设计

提出了一种新的、利于实施计算的实现大范围均匀照明的LED灯具透镜设计方法。基于能量守恒定理和光线折射Snell定理,通过Matlab编程计算出自由曲面透镜坐标点。借助CAD软件和光学模拟软件Tracepro,模拟了自由曲面透镜的具体应用,在光源高为3m,接收面直径为10m的圆形照明区域,得到了均匀度达80%以上的照度分布,该设计可以应用在商场、工厂等室内照明灯具上。

Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的欧姆接触研究

通过电流-电压(I—V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型CaN上淀积Ti／Al／Ni／Au电极形成欧姆接触的机制。Ni／Au作为Ti／Al的覆盖层起了阻止Ti，Al，Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内，Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的接触电阻随温度升高先略有上升，到500℃以后单调下降。而表面形貌却在合金温度高于600℃以后随温度升高逐步变差。通过两步合金法得到了n—GaN上Ti／Al／Ni／Au形成的接触电阻低达9．65×10^-7Ωcm^2。最后还对两步合金法形成n—GaN欧姆接触的机制进行了讨论。

InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究

研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,双峰的峰位没有移动,直到注入电流密度达到2×104mA/cm2时,绿光发光峰发生蓝移,而蓝光发光峰没有变化.单色的阴极荧光谱(CL)发现绿光发射对应的发光区包括絮状区域和发光点,而蓝光发射对应的发光区仅包含絮状区域.通过以上的结果,我们认为蓝光发射基本上源于InGaN量子阱发光,而绿光发射则起源于量子阱和量子点的发光.

InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱(英文)

我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾 ;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导 ,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽。我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构 ,从而影响了光学吸收特性。而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源。

GaN基大功率倒装焊蓝光LED的I-V特性研究

测量了GaN基大功率倒装焊蓝光发光二极管(LED)在不同温度、不同老化阶段的电流-电压(I-V)特性曲线。结果表明,相对理想情形,特性曲线的反向偏压区漏电因深能级隧穿偏大;正向小偏压下因沿着位错汇聚金属产生漏电流;产生-复合电流区和扩散电流区因多量子阱限制而理想因子偏大;由于有源区低掺杂,在10 A/cm2就开始形成大注入区;在大电流下也因为串联电阻分压而形成串联电阻区。扩散电流区的温度系数和肖克莱方程导出的数值最接近,可用来测量结温。老化过程中反向漏电流增加,是因为有了更多被激活的深能级;随着老化正向漏电增加的速度变慢,是由于位错逐渐被汇集的金属填满。

新型光电材料GaN的离子束辐照改性与结构分析

研究用卢瑟福背散射 /沟道技术测量分析GaN的结构及结晶品质 ,给出了注入H+离子束改变GaN的电学特性的实验结果。

快速退火Mg∶GaN的光致发光研究

本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３ 衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ，在Ｎ２ 气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ 和４５０ｎｍ 两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的来源作了探讨，提出深Ｎ 空位能级到Ｍｇ