功率MOSFET泄漏电流测试研究

功率MOSFET属于电压控制型器件,在电路中主要起到电子开关的作用。栅源施加开启电压,器件开启功率信号通过,如果器件栅源和漏源阻断时泄漏电流较大,会导致产生器件自热相应,从而降低器件可靠性。由于功率MOSFET由于自身结构和工艺本身存在寄生电容,寄生电容在充电时会出现充电电流,该充电电流会对泄露电流的测试产生严重的干扰。本文通过原理分析和实际测试模拟,结果表明泄漏电流的测试脉宽对泄漏电流的测试有着直接的影响,特别是对于芯片面积较大或寄生电容较大的功率MOSFET。

IGBT模块NTC温度与模块壳温、结温关系探究

IGBT模块封装时内部会集成负温度系数的温敏电阻(NTC)用以监控模块内部温度,工程应用中也多用这个电阻测定温度值来制定IGBT模块高温保护策略。但由于安装位置,NTC所处的热网络热时间常数较大等原因NTC温度与模块真实结温间还是有一些差距。本文通过搭建测试平台在某款车用电机控制器中测定了NTC温度在不同功率,不同冷却液温度、流量等不同工况下与模块结温关系,建立了该款控制器NTC温度与模块结温的关系模型,并通过仿真与实测结果对比分析验证了该模型的准确性。实验结果对其他使用NTC评估模块结温的场合也具有一定指导意义。