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均匀沉积的ECR等离子体产生 |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1995 |
0 |
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产生气体离子束的13.56MHz多会切离子源 |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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2000 |
0 |
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3
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利用在电极表面上的分布空心阴极产生高度均匀和稠密的等离子体 |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1996 |
0 |
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4
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十元钱 |
笑生
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《农村工作通讯》
北大核心
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1995 |
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5
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开锁的声音好温馨 |
笑生
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《中国民政》
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1998 |
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N2O等离子体蚀刻聚酰亚胺 |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1995 |
0 |
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7
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硅的就地ECR等离子体表面清洗 |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1995 |
0 |
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8
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弱电离等离子体辐射后金属薄膜电阻的变化 |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1995 |
0 |
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9
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利用AC双磁控管阴极在大尺寸基体上进行反应性溅射电介质层 |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1999 |
0 |
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10
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SiCl4/CH4/Ar基等离子体中AlInGaP和GaAs的RIE |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1996 |
0 |
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11
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微波rf混合等离子体反应室中TiO2的PECVD |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1996 |
0 |
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12
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用BCl3和SiCl4对铜的RIE |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1995 |
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13
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InP的化学辅助离子束蚀刻特性 |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1995 |
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14
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用离子束诱导CVD制备TiO2和Al2O3薄膜 |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1995 |
0 |
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通过ECR等离子体对InGaAs/AlGaAs的低损伤蚀刻 |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1995 |
0 |
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InP通路孔的RIE |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1995 |
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17
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短气体滞留时间ECR等离子体蚀刻 |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1995 |
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高压炬放电等离子体源 |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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2000 |
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19
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用Cl2对InAlAs/InP进行RBIBE |
笑生
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《等离子体应用技术快报》
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1996 |
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《明星3缺1 Online》和偶像一起休闲 |
笑生
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《大众软件》
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2006 |
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