TVS对移动电话辐射杂散的影响研究

此处旨在研究瞬态电压抑制二极管(TVS)非线性特性对移动电话DCS1800频段辐射杂散二次谐波发射的影响。通过使用传导射频(RF)信号注入的方法,对带有TVS的扬声器电路进行验证,得到传导杂散二次谐波数值;利用电路板搭建测试电路进行TVS的U-I曲线的测量验证,得到TVS的U-I曲线。实测结果表明不同厂家TVS所产生的杂散二次谐波的幅值大小不同,EPCOS要明显优于ST,低大约40 dB;不同厂家的TVS开启电压水平差异显著,EPCOS TVS开启电压高于25 V,ST TVS开启电压为16 V左右,EPCOS TVS要远高于ST TVS。TVS用于移动电话各功能模块的静电放电(ESD)防护时,尤其是天线附近区域时,可使用传导RF注入法和U-I曲线测量法进行验证评估,确保不影响辐射杂散谐波发射值。

40 nm IC静态和动态ESD测试及失效分析

结合电网内使用电子器件面临的复杂电磁环境,介绍芯片在静态和动态下静电放电(electrostatic discharge,ESD)的防护能力测试,分析了ESD器件充放电模式(CDM)失效的现象和定位方法.针对40 nm LQFP64封装芯片,详细介绍ESD测试过程和失效判定分析过程,综合运用激光束电阻异常侦测、扫描电子显微镜等手段完成对失效位置的定位和失效点的精确分析.通过测试结果分析其失效机理,ESD保护电路中的晶体管,在电阻率下降、电流密度增加导致温度升高的正反馈作用下保护电路中的晶体管发生熔断,从而导致ESD保护电路失效.