Li元素对Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3基无铅压电陶瓷压电性能的影响

针对无铅压电陶瓷的压电常数d33偏小的情况,采用传统的固相反应烧结方法制备得到了高压电性能的Bi0.5Na0.5TiO3基无铅压电陶瓷Bi0.5(Na0.7K0.3-xLix)0.5TiO3(x=0.04,0.08,0.12,0.16,0.20).研究了Li元素的添加量对陶瓷的烧结温度以及压电性能的影响.研究结果表明,Li元素对K的替代可以降低陶瓷的烧结温度,提高样品致密度,适量的Li可以大幅度提高陶瓷的压电性能.陶瓷样品的压电常数d33和平面机电耦合系数kp随着Li含量的增加先增大后减小.在1 090℃的烧结温度下,Li含量x=0.08时的陶瓷样品表现出最佳的压电性能,压电常数d33=212 pC/N,平面机电耦合系数kp=33%.

纳米磁性材料的研究现状

介绍了纳米磁性材料的用途,阐述了纳米颗粒型、纳米微晶型和磁微电子结构材料三大类纳米磁性材料的研究和应用现状。

^(60)Coγ光子在SiO_2材料中能量沉积的研究

针对目前高能光子的电离辐射效应极大的影响半导体材料广泛应用的现状,以MOS器件为研究对象,利用高能光子反应截面数据库,采用蒙特卡罗模拟方法,用C语言编写了模拟程序,对高能光子在MOS器件的SiO2层中的输运过程进行了模拟和计算.计算结果表明,MOS器件的电离损伤与SiO2层的厚度关系很大,减小SiO2层的厚度可以明显地减少SiO2中的能量沉积,使得MOS器件的电离损伤减小.

压电铁电材料的研究

介绍了压电铁电材料,及其特点,探讨了压电铁电材料的制备方法。

MOS器件中的电离损伤机制

针对总剂量电离辐射效应对MOS器件的影响,研究了MOS器件中的电离损伤机制,MOS器件的SiO2氧化层中因为电离辐射而有沉积能量,使得氧化层电荷和界面态电荷在半导体(Si)表面感生出电荷,使SiO2/Si界面电势变化,从而导致MOS管的阈值电压漂移、跨导退化和漏极电流下降。

Pr和Co的添加对NdFeB纳米复合永磁材料磁性能的影响

针对NdFeB纳米复合永磁材料的磁性能,特别是矫顽力偏低的现状,采用熔体快淬法制备了Nd5Pr3Fe80Co8B4纳米复合永磁材料.研究了Pr和Co的添加对NdFeB纳米复合永磁材料的磁性能的影响.结果表明,Pr的添加可提高材料的各向异性场,提高矫顽力,但是Pr元素的添加使材料的居里温度降低,因此添加量不宜过多.复合添加Co元素不仅可提高材料的各向异性和矫顽力,而且可弥补只添加Pr元素降低材料居里温度的缺陷,使居里温度提高.复合添加Co以后的Nd5Pr3Fe80Co8B4样品的硬磁性相居里温度提高到了600℃.

端面泵浦光的焦斑位置对DPL性能的影响

为了研究端面泵浦固体激光器时,泵浦光焦斑位置对激光器输出性能的影响,建立了交叠积分的计算模型,计算了确定的谐振腔结构和泵浦光束分布时的交叠,数值模拟出了不同泵浦光焦斑位置时,激光器的输出性能.得到了该结构下泵浦光的焦斑位置,以及焦斑位置对激光器输出性能的影响.结果表明最佳阈值泵浦功率和斜效率对焦斑位置比较敏感,且焦斑位置位于增益介质中距离泵浦面1.3 mm时,激光输出功率最大,泵浦效果最佳.

热处理条件对NdFeB纳米复合材料磁性能的影响

针对NdFeB纳米复合永磁材料的热处理温度和保温时间存在不同的观点,将熔体快淬方法制备的Nd2Fe14B/-αFe纳米复合材料样品在不同温度下进行不同时间的晶化热处理,研究了热处理条件对磁性能的影响.结果表明,Nd2Fe14B/-αFe纳米复合材料的磁性能随热处理条件而变化,较低温度长时间热处理得到的Nd2Fe14B/-αFe纳米复合材料样品的磁性能要比较高温度短时间热处理得到的样品的磁性能稍好一些.其原因是高温短时间热处理时晶粒的生长率较大,容易使晶粒的规则性变差,交换耦合相互作用减弱,硬磁性能降低.

Nd_(8-x)Dy_xFe_(82)Co_6B_4纳米复合永磁材料的磁性能

针对NdFeB纳米复合永磁材料的矫顽力偏低的现状,采用熔体快淬法制备了Nd8-xDyxFe82Co6B4(x=0,0.4,0.8,1.2,1.6)纳米复合永磁材料,研究了Dy和Co的添加对NdFeB纳米复合永磁材料的磁性能的影响.研究结果表明,Dy的添加可提高材料的各向异性场,提高矫顽力,但是Dy元素的添加使材料的剩磁降低,结晶温度升高,因此添加量不宜过多;复合添加Co原子不仅可以提高材料的剩磁和矫顽力,而且可以弥补只添加Dy元素使材料的结晶温度升高的缺陷.在最佳的热处理条件下,Dy含量x=0.8时的样品表现出最佳的磁性能,矫顽力jHc=524 kA/m,剩磁Br=1.11 T,最大磁能积(BH)max=158 kJ/m3.

浸润度对低温下气膜产生的影响

针对气膜在沸腾过程中的低热导率以及能够降低流体流动阻力的特点,应用分子动力学模拟的方法在等温等压系综下模拟了气膜的形成过程,在较低的温度下得到了气膜.通过改变固液界面的接触角来改变固液界面的浸润度,进一步影响气膜的形成.结果表明,超疏水性固体壁面明显能够增强气膜形成,在较低温度下,一般的疏水性界面不能形成气膜,而超疏水性界面能够在较短时间内形成气膜,既可以减小流体流动阻力,又可以防止器件表面温度过高而烧坏.

(Na_(0.5)K_(0.5))NbO_3基无铅压电陶瓷压电常数的研究

针对目前无铅压电陶瓷的压电常数d33偏小的情况,采用传统的烧结方法制备了(Na0.5K0.5)NbO3基无铅压电陶瓷(Na0.5K0.45Li0.05)Nb0.95-xSbxTa0.05O3(x=0.03,0.06,0.09,0.12),研究了在Li和Ta含量固定的情况下,Sb元素的添加量和烧结温度对陶瓷的压电常数的影响.研究结果表明,适量Sb元素的掺杂可以大幅度提高陶瓷的压电常数d33,陶瓷样品的压电常数d33随着Sb含量的增加先增大后减小.烧结温度可以影响陶瓷的密度,进而影响其压电常数.在1130℃的最佳烧结温度下,Sb含量x=0.09时,陶瓷样品表现出最佳的压电性能,压电常数d33=328 pC/N.