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光刻工艺中关键流程参数分析
被引量:
12
1
作者
简祺霞
王军
+1 位作者
袁凯
蒋亚东
《微处理机》
2011年第6期14-17,共4页
主要介绍了光刻工艺的基本流程,并分析了光刻工艺中的流程参数及影响光刻质量的主要因素,讨论了两种不同光刻胶在不同转速下的厚度、均匀性及留膜率,提出了光刻工艺中部分常见问题的解决方法。通过工艺优化,确定AZ3100和AZ703两种光刻...
主要介绍了光刻工艺的基本流程,并分析了光刻工艺中的流程参数及影响光刻质量的主要因素,讨论了两种不同光刻胶在不同转速下的厚度、均匀性及留膜率,提出了光刻工艺中部分常见问题的解决方法。通过工艺优化,确定AZ3100和AZ703两种光刻胶的最佳工艺参数。
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关键词
光刻
涂胶
膜厚
均匀性
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职称材料
题名
光刻工艺中关键流程参数分析
被引量:
12
1
作者
简祺霞
王军
袁凯
蒋亚东
机构
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《微处理机》
2011年第6期14-17,共4页
基金
国家自然科学基金项目(61006036)
电子科技大学"学术新人"项目支持
文摘
主要介绍了光刻工艺的基本流程,并分析了光刻工艺中的流程参数及影响光刻质量的主要因素,讨论了两种不同光刻胶在不同转速下的厚度、均匀性及留膜率,提出了光刻工艺中部分常见问题的解决方法。通过工艺优化,确定AZ3100和AZ703两种光刻胶的最佳工艺参数。
关键词
光刻
涂胶
膜厚
均匀性
Keywords
Photolithography
Photoresist coating
Photoresist thiehness
Uniformity of thickness
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光刻工艺中关键流程参数分析
简祺霞
王军
袁凯
蒋亚东
《微处理机》
2011
12
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