双层减反射膜的研究

我们采用电子束蒸发淀积得到了光学(折射率)匹配良好的Ta_2O_5和SiO_2体系,Ta_2O_5和SiO_2膜的折射率分别为2.15和1.45。测定了0.3—0.9μm光谱范围内Ta_2O_5单层膜的透过率和双层膜在0.4—0.9μm范围内的反射率分布。对蒸有厚度匹配良好的双层膜的硅电池,测得的平均反射率低于5％。 提出了一个以测定太阳电池在蒸发减反射膜前后的短路电流来估算平均有效反射的方法。估算结果和测定值非常近似,可用于蒸膜工艺和对膜质量的鉴定。

三氯氢硅歧化的研究

目前,SiH_2Cl_2作为优质源材料在外延工艺中的应用日益广泛,可用于沉积多晶硅、无定形硅和氮化硅等,是研制集成电路的一种重要材料。很多研究工作者论述了以含氮原子功能团的非可溶性固体催化剂进行SiHCl_3岐化制取SiH_2Cl_2工艺。本文报导实验室条件下进行SiHCl_3岐化研究的若干结果。