高温贮存寿命评估试验

元器件分别进行常温储存试验和高温贮存试验,通过常温储存试验累积试验数据并以此研究总结元器件长期储存性能参数变化规律和失效模式。通过高温贮存试验加速元器件常温储存过程累积试验数据,根据关键参数随加速试验的变化情况,得到高温贮存条件相对常温储存条件的加速因子,根据加速因子得到加速贮存试验的时间,在该高温点下进行相应时间的加速贮存试验。试验结果即为常温特定年限储存寿命的预计结果,从而在较短的时间内对元器件长期储存寿命做出评定。

IC长贮存寿命评价方法

高可靠长寿命产品在军事、航空航天、电子工业、通信等领域应用越来越广泛,如何保障其可靠性与预测其寿命是值得深入研究的重要问题。越来越多的单位,特别是航空航天系统的单位,对其选用的产品提出了具有32年贮存寿命要求的高可靠性指标。长寿命及超长寿命的电子元器件的贮存寿命评价是以加速试验为评价方法的。建立准确的失效机理及模型是评价正确与否的关键。文章通过收集大量高温贮存及常温贮存的实测数据,建立失效模型,推算出应力条件及相应的加速因子。文中实践证明,通过模型仿真出的贮存寿命具有高的可信度。

集成电路可靠性试验——盐雾技术研究

对盐雾试验的条件进行了分析。通过试验,验证了温度、盐浓度、氧溶解度和流速对盐雾试验的影响以及研究分析样品的摆放技术。

集成电路抗腐蚀能力的研究

首先介绍了塑封电路、玻璃封装电路和陶封电路的构成材料,然后分别选取这3种电路的若干只样品,按几种试验条件进行了盐雾试验,针对试验后在电路上出现的腐蚀现象进行了理论分析,最后总结了3种电路各自的抗腐蚀能力。