SiGe HBT器件的研究设计

研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT,并对SiGe HBT设计进行了研究分析。给出了双极晶体管的结构和关键工艺参数,并进行了流片测试,结果表明,在室温下电流增益β大于1500,最大达到3000,Vceo为5V,厄利电压VA大于10V,βVA乘积达到15000以上。这种器件对多晶Si发射极As杂质浓度分布十分敏感。

一款微波双极晶体管的设计和实现

对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试。介绍了器件工艺步骤及其采用的工艺结构。对器件的特征频率、Gummel曲线、发射极电子和空穴浓度、CE击穿特性模拟、-βIC曲线等关键参数进行了模拟。模拟器件最高特征频率为10 GHz,流片测试最高特征频率为9.5 GHz。

基于一个可变电阻多功能混沌电路研究

分析了一个新的复杂的四维混沌系统的动力学特性,此系统每个动力学方程中包含三个二次交叉乘积项,通过改变一个参数系统可以产生一涡旋、二涡旋、三涡旋和四涡旋吸引子.最后采用MUTISIM11设计了一个模拟电路来实现这个新的基于一个可变电阻多功能四维混沌系统.

一种烘烤控制方法在透射电子显微镜中的应用研究

研究了一种烘烤控制方法在透射电子显微镜中的应用,通过分析透射电子显微镜获得高真空的方法,提出引入物镜烘烤的必要性。对物镜烘烤的控制特点进行了详细分析,并对控制电路进行了仿真分析。经过反复测试验证,该物镜烘烤控制方法符合透射电子显微镜获得高真空工艺的控制要求。

VHDL密码控制系统的设计和仿真

阐述密码控制设计的基本原理。介绍了VHDL语言的特点以及基本的语法结构。在MAX+plusⅡ开发软件环境下,利用VHDL硬件描述语言实现密码控制系统设计,并对其系统各个模块进行仿真分析。

基于ATMEGA128单片机豆芽生长控制器的研发

基于ATMEGA128单片机操作DS18820对豆芽生长环境中是温度进行实时测量与控制，再通过时钟芯片DS1302给单片机提供时间基准，现实定时淋水控制，从而实现豆芽生长环境的精确控制。