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脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响
被引量:
5
1
作者
米国浩
杜正伟
+2 位作者
曹雷团
吴强
陈曦
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期216-221,共6页
利用实验室自主开发的二维半导体器件-电路联合仿真器对RS触发器在核电磁脉冲注入下的烧毁情况进行研究,发现烧毁发生在RS触发器内n沟道增强型MOSFET栅极和漏极之间的沟道内。RS触发器烧毁的功率阈值随着脉冲宽度的增加而降低,当脉冲宽...
利用实验室自主开发的二维半导体器件-电路联合仿真器对RS触发器在核电磁脉冲注入下的烧毁情况进行研究,发现烧毁发生在RS触发器内n沟道增强型MOSFET栅极和漏极之间的沟道内。RS触发器烧毁的功率阈值随着脉冲宽度的增加而降低,当脉冲宽度大于80 ns后阈值变化很小。根据仿真结果,通过热传导方程对RS触发器的烧毁情况进行建模,得到了不同脉冲宽度核电磁脉冲注入下RS触发器烧毁功率阈值的理论模型,仿真结果证明了理论模型的正确性。
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关键词
核电磁脉冲
脉冲宽度
RS触发器
器件物理仿真
烧毁
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职称材料
题名
脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响
被引量:
5
1
作者
米国浩
杜正伟
曹雷团
吴强
陈曦
机构
清华大学电子工程系
北京宇航系统工程研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期216-221,共6页
基金
国家自然科学基金项目(61371010)
国家科技重大专项(2012ZX03003002-004)
文摘
利用实验室自主开发的二维半导体器件-电路联合仿真器对RS触发器在核电磁脉冲注入下的烧毁情况进行研究,发现烧毁发生在RS触发器内n沟道增强型MOSFET栅极和漏极之间的沟道内。RS触发器烧毁的功率阈值随着脉冲宽度的增加而降低,当脉冲宽度大于80 ns后阈值变化很小。根据仿真结果,通过热传导方程对RS触发器的烧毁情况进行建模,得到了不同脉冲宽度核电磁脉冲注入下RS触发器烧毁功率阈值的理论模型,仿真结果证明了理论模型的正确性。
关键词
核电磁脉冲
脉冲宽度
RS触发器
器件物理仿真
烧毁
Keywords
nuclear electromagnetic pulse
pulse width
RS flip-flops
device simulation
burnout
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响
米国浩
杜正伟
曹雷团
吴强
陈曦
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
5
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职称材料
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