MoS_2/ZnO异质结的光电特性

采用化学气相沉积法在Si衬底上先后沉积了Ag掺杂的MoS2薄膜和Ag掺杂的ZnO薄膜,形成MoS2/ZnO异质结.研究了薄膜的表面形貌、晶体结构、光吸收特性和电学特性,对比分析了MoS2/ZnO异质结的光吸收特性和有无光照下的I-V特性,并对其导电机理进行了研究.实验结果表明:MoS2和ZnO薄膜表面均匀平整,结晶度较好;Ag掺杂的MoS2和Ag掺杂的ZnO的薄膜具有较高的电子迁移率,分别为1.57×103 cm2/(V·s)和6.17×103 cm2/(V·s);MoS2/ZnO异质结具有较好的整流效应和光电响应特性.

反应烧结碳化硅陶瓷内筒的损毁机制

以X射线衍射仪、扫描隧道电子显微镜、能量散射光谱仪等手段对在悬浮预热器内筒上使用前后的反应烧结碳化硅陶瓷进行分析,研究该陶瓷应用于悬浮预热器上的损毁机制.碳化硅陶瓷中残存金属硅和表面的碳化硅在高温使用工况下首先氧化成Si O_2,Si O_2在K2O(g)、Na2O(g)、KCl(g)、Na Cl(g)等蒸气以及氯化物作用下黏度降低,形成覆盖于陶瓷表面的氧化层,继而被高速的气固流体冲蚀和磨损掉,并导致新的界面出现.如此循环,使碳化硅陶瓷的外侧逐渐变薄和断裂,直至损毁.提高陶瓷的致密性和降低残余硅含量是改进反应烧结碳化硅陶瓷在悬浮预热器中使用性能的有效途径.