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深能级及其在发光研究中的应用
1
作者
高瑛
赵
家
龙
+3 位作者
刘学彦
苏锡安
粱家昌
胡恺生
《半导体杂志》
1995年第4期12-20,共9页
本文介绍了三种测量深能级的基本方法──深能级瞬态能谱(DLTS)、光致发光(PL)、光电容(PC)及用它们研究不同发光材料和器件的结果.其中包括发光二极管的效率和退化过程、GaN材料中蓝色发光深中心、ZnS场致发光薄...
本文介绍了三种测量深能级的基本方法──深能级瞬态能谱(DLTS)、光致发光(PL)、光电容(PC)及用它们研究不同发光材料和器件的结果.其中包括发光二极管的效率和退化过程、GaN材料中蓝色发光深中心、ZnS场致发光薄膜的初始载流子源以及用MOCVD法生长Ⅲ-Ⅴ族单晶薄膜的缺陷分析,它是将半导体深能级的基础知识运甲于发光机理和光电特性研究,在不同的领域中所取得的进展。
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关键词
深能级
场致发光
薄膜材料
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职称材料
题名
深能级及其在发光研究中的应用
1
作者
高瑛
赵
家
龙
刘学彦
苏锡安
粱家昌
胡恺生
机构
中国科学院长春物理研究所
出处
《半导体杂志》
1995年第4期12-20,共9页
文摘
本文介绍了三种测量深能级的基本方法──深能级瞬态能谱(DLTS)、光致发光(PL)、光电容(PC)及用它们研究不同发光材料和器件的结果.其中包括发光二极管的效率和退化过程、GaN材料中蓝色发光深中心、ZnS场致发光薄膜的初始载流子源以及用MOCVD法生长Ⅲ-Ⅴ族单晶薄膜的缺陷分析,它是将半导体深能级的基础知识运甲于发光机理和光电特性研究,在不同的领域中所取得的进展。
关键词
深能级
场致发光
薄膜材料
分类号
TN383.101 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
深能级及其在发光研究中的应用
高瑛
赵
家
龙
刘学彦
苏锡安
粱家昌
胡恺生
《半导体杂志》
1995
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