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高压平面结终端结构参数的优化方法分析
1
作者
唐本奇
粱苏军
罗晋生
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1996年第2期79-83,共5页
对目前所采用的各种高压平面结终端结构的优化设计方法进行了分析比较,总结了其一般规律,给出了优化设计方法的流程图。
关键词
电力半导体器件
平面结终端
计算
硅
功率器件
下载PDF
职称材料
题名
高压平面结终端结构参数的优化方法分析
1
作者
唐本奇
粱苏军
罗晋生
机构
西安交通大学
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1996年第2期79-83,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
对目前所采用的各种高压平面结终端结构的优化设计方法进行了分析比较,总结了其一般规律,给出了优化设计方法的流程图。
关键词
电力半导体器件
平面结终端
计算
硅
功率器件
Keywords
power semiconductor device
termination
numerical calculation
optimum design
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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操作
1
高压平面结终端结构参数的优化方法分析
唐本奇
粱苏军
罗晋生
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1996
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