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化学电源中的隔膜 被引量:9
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作者 邱德瑜 成凤英 +1 位作者 尹承滨 糜天英 《电池》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期18-21,共4页
本文回顾了铅酸蓄电池和碱性蓄电池(含锌电极)隔膜的发展,从而提出了一些看法,并介绍了我们在这方面的工作。
关键词 化学电源 隔膜 铅酸蓄电池 碱性蓄电池
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几种碱性蓄电池隔膜的光谱研究 被引量:1
2
作者 邱德瑜 成凤英 +3 位作者 尹承滨 曾广赋 糜天英 盛桂云 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期63-66,共4页
用光谱方法研究了某些碱性蓄电池隔膜.结果表明:水化纤维素膜、PVA膜和PVA+H_3BO_3膜,浸于碱性溶液中后,发生R—OH+KOH(?)R-O^-+K^++H_2O反应,产生负电荷基团R-O^-.此种基团阻止溶液中Zn(OH)_4^(2-)离子的迁移和锌枝晶生成.这个结果证... 用光谱方法研究了某些碱性蓄电池隔膜.结果表明:水化纤维素膜、PVA膜和PVA+H_3BO_3膜,浸于碱性溶液中后,发生R—OH+KOH(?)R-O^-+K^++H_2O反应,产生负电荷基团R-O^-.此种基团阻止溶液中Zn(OH)_4^(2-)离子的迁移和锌枝晶生成.这个结果证实了我们以往提出的水化纤维素膜的作用机理. 展开更多
关键词 碱性蓄电池 隔膜 光谱 蓄电池
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钛在草酸溶液中腐蚀行为的XPS研究 被引量:1
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作者 张瑞峰 于亚莉 +1 位作者 陈玉璞 糜天英 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1990年第6期681-685,共5页
本文首次用X-光电子能谱(XPS)技术研究了H_2C_2O_4溶液中钛基的腐蚀行为,对Ti基片的表面和界面进行了XPS表征.实验结果表明:Ti基在80℃,10%的草酸溶液中腐蚀两小时,样品的表面只有Ti^0和TiO存在;经过四小时腐蚀的样品表面主要是TiO_2和... 本文首次用X-光电子能谱(XPS)技术研究了H_2C_2O_4溶液中钛基的腐蚀行为,对Ti基片的表面和界面进行了XPS表征.实验结果表明:Ti基在80℃,10%的草酸溶液中腐蚀两小时,样品的表面只有Ti^0和TiO存在;经过四小时腐蚀的样品表面主要是TiO_2和少部分Ti^(2+).这与X-衍射分析认为有TiH_(1.042)的结构看法相符。同时,Ti0_2与表面涂层RuO_2都属金红石型结构,因而完全有可能形成牢固的金属阳极材料。 展开更多
关键词 腐蚀 草酸 XPS
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微细BaSO_4对铅酸蓄电池负极电性能的影响 被引量:1
4
作者 邱德瑜 成凤英 +1 位作者 尹承滨 糜天英 《蓄电池》 1998年第3期3-6,共4页
报道了微细BaSO4粒子的制备,并测定了它对铅酸蓄电池负极容量的影响。结果表明:采用本文制得的微细BaSO4,可提高负极容量约10%,若与适当的有机膨胀剂配合,效果更好。
关键词 微细BaSO4 负极容量 铅酸蓄电池
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弱极化区电极反应动力学分析
5
作者 邱德瑜 糜天英 盛桂云 《化学研究与应用》 CAS CSCD 1998年第1期106-110,共5页
弱极化区电极反应动力学分析邱德瑜糜天英(中国科学院长春应用化学研究所长春130022)盛桂云(长春工业高等专科学校长春130021)关键词弱极化区非活化极化β′值的变化中图分类号646.54在弱极化区,对于非活化控制... 弱极化区电极反应动力学分析邱德瑜糜天英(中国科学院长春应用化学研究所长春130022)盛桂云(长春工业高等专科学校长春130021)关键词弱极化区非活化极化β′值的变化中图分类号646.54在弱极化区,对于非活化控制的电极反应过程,βa、βc是ΔE的... 展开更多
关键词 弱极化区 非活化极化 电极反应 动力学
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多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极 多硫氧化还原电对溶液的界面现象研究
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作者 李军 谭正 +1 位作者 糜天英 孙公权 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1992年第8期752-755,共4页
测量了系列(1-x)值的电沉积多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极在多硫氧化还原电对溶液中的交流阻抗和光电流光谱,据此确定出不同(1-x)值时的平带电位Φ(?)和禁带宽度E(?).当(1-x)值增大时,平带电位正移,禁带宽度E(?)变小,导带位置下降(负移),... 测量了系列(1-x)值的电沉积多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极在多硫氧化还原电对溶液中的交流阻抗和光电流光谱,据此确定出不同(1-x)值时的平带电位Φ(?)和禁带宽度E(?).当(1-x)值增大时,平带电位正移,禁带宽度E(?)变小,导带位置下降(负移),价带位置基本保持不变.系列Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极在多硫溶液中的开路光电压比由平带电位Φ_(fb)推算出的极限开路光电压低,因此存在着提高实际开路光电压的潜力. 展开更多
关键词 汞镉碲 界面科学 光电化学
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多晶Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为
7
作者 李军 谭正 糜天英 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期86-87,共2页
富镉Hg_(1-x)Cd_xTe是一种新型的光电转换材料,已用于固体结太阳能光伏电池:ITO/CdS/Hg_(1-)Cd_xTe/Au。我们曾对Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积机理作过研究。最近我们用电沉积制备的Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te多晶薄膜做成了液体结太阳能光电化学... 富镉Hg_(1-x)Cd_xTe是一种新型的光电转换材料,已用于固体结太阳能光伏电池:ITO/CdS/Hg_(1-)Cd_xTe/Au。我们曾对Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积机理作过研究。最近我们用电沉积制备的Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te多晶薄膜做成了液体结太阳能光电化学电池并观察到明显光电响应。 展开更多
关键词 光电化学 多晶薄膜 鍗镉汞
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电沉积多晶CuInSe_2薄膜的光电化学——Ⅰ.CuInSe_2薄膜的电沉积 被引量:5
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作者 王江山 谭正 +1 位作者 糜天英 孙公权 《中国科学(B辑)》 CSCD 北大核心 1991年第6期583-589,共7页
研究了含Cu^(2+),In^(3+),HSeO_2^+等离子的酸性电解液中CuInSe_2的电沉积过程.对电沉积条件进行了优化选择,对电沉积机理进行了探讨.对钛基底上的沉积膜的物性和结构分析表明,沉积膜的结晶性良好,颗粒均匀而连续,为多晶黄铜矿型结构.... 研究了含Cu^(2+),In^(3+),HSeO_2^+等离子的酸性电解液中CuInSe_2的电沉积过程.对电沉积条件进行了优化选择,对电沉积机理进行了探讨.对钛基底上的沉积膜的物性和结构分析表明,沉积膜的结晶性良好,颗粒均匀而连续,为多晶黄铜矿型结构.在多硫氧化还原电对液中,用这种沉积膜制成的光电化学电池具有明显的光响应. 展开更多
关键词 电沉积 CUINSE2 薄膜 光电化学
原文传递
多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积及Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为 被引量:1
9
作者 李军 谭正 糜天英 《中国科学(B辑)》 CSCD 北大核心 1990年第3期239-245,共7页
本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2^+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,... 本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2^+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm^2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm^2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。 展开更多
关键词 汞镉碲 光电化学电池 薄膜 电沉积
原文传递
PHOTOELECTROCHEMISTRY OF ELECTRODEPOSITED POLYCRYSTALLINE CuInSe_2 THIN FILMS (Ⅰ)——ELECTRODEPOSITION OF CuInSe_2 FILMS
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作者 王江山 谭正 +1 位作者 糜天英 孙公权 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 1992年第3期281-290,共10页
Electrodeposition of CulnSe, was investigated in acidic solutions containing Cu^(2+), In^(3+) and HSeO_2^+ ions. The electrodeposition condition was optimized with the aim of obtaining uniform thin films on titanium s... Electrodeposition of CulnSe, was investigated in acidic solutions containing Cu^(2+), In^(3+) and HSeO_2^+ ions. The electrodeposition condition was optimized with the aim of obtaining uniform thin films on titanium substrate. The mechanism of the electrodeposition process is discussed. Structure analysis of the deposited film shows a typical polycrystalline chalcopyrite structure, good crystallinity and homogeneous dispersion. The photoelectrochemical cells made of these kinds of deposited films in polysulfide redox solution give distinct photoresponse. 展开更多
关键词 ELECTRODEPOSITION copper INDIUM SELENIDE POLYCRYSTALLINE thin film PHOTOELECTROCHEMICAL cell photoelectrochemistry.
原文传递
ELECTRODEPOSITION OF POLYCRYSTALLINE Cd-RICH Hg_(1-x)Cd_xTe AND PHOTOELECTROCHEMICAL BEHAVIOR OF Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te THIN FILM
11
作者 李军 谭正 糜天英 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 1990年第10期1153-1162,共10页
Electrodeposition process of polycrystalline Cd-rich Hg_(1-z)Cd_xTe (x>0.5) in acidic bath of CdSO_4+HTeO_2^+HgCl_2 was investigated. The simultaneous electrodeposition technique of three kinds of ions at the same ... Electrodeposition process of polycrystalline Cd-rich Hg_(1-z)Cd_xTe (x>0.5) in acidic bath of CdSO_4+HTeO_2^+HgCl_2 was investigated. The simultaneous electrodeposition technique of three kinds of ions at the same potential has been achieved. The XRD, SEM and EDAX analysis of the thin film electrodeposited on titanium substrate showed a typical cubic zinc blende polycrystalline structure and homogeneous dispersion. The photoelectrochemical behavior of (1-x)=0.09 polycrystalline thin film in a polysulfide redox couple solution was examined. Under illumination of 100 mW/cm^2, the short circuit photocurrent I_(sc)=1.88 mA/cm^2, the open circuit photovoltage V_(oc)=0.25 V, the fill factor F·F=0.22. The bandgap E_g measured with photoelectrochemical spectroscopy is 1.26 eV. Flatband potential φ_(tb), Obtained from Mott-Schottky curve is -1.26 Ⅴ (vs. SCE). Therefore, the obtainable maximum open circuit photovoltage could be 0.49 Ⅴ. The Cd-rich Hg_(1-x)Cd_x Te thin film should be a potential photoactive electrode material. 展开更多
关键词 cadmium mercury TELLURIDE photoelectrochemical cell POLYCRYSTALLINE thin film ELECTRODEPOSITION
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