光刻胶用底部抗反射涂层研究进展

随着微电子工业的蓬勃发展,光刻技术向着更高分辨率的方向迈进,运用底部抗反射涂层有效消除光刻技术中的驻波效应、凹缺效应,提高关键尺寸均一性和图案分辨率,引起了广大研究者的关注。本文简要介绍了光刻胶和光刻技术,底部抗反射涂层的分类、基本原理、刻蚀工艺以及其发展状况。重点对底部抗反射涂层的最新研究进展进行了总结,尤其是碱溶型底部抗反射涂层在光刻胶中的应用研究,最后对底部抗反射涂层的发展前景和方向进行了展望。

248nm光刻胶用丙烯酸酯共聚物的合成与性能

以对乙酰氧基苯乙烯(ASM)、丙烯酸叔丁酯(TBA)、丙烯酸四氢呋喃酯(TA)和2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯(MAM)为单体,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,通过自由基聚合制备了不同MAM含量的丙烯酸酯类共聚物P(ASMco-TBA-co-TA-co-MAM)(PATTM),加入一定量的甲醇钠和甲醇进行醇解,制得丙烯酸酯类共聚物PATTM-A。用傅里叶变换红外光谱、核磁共振氢谱、凝胶渗透色谱、差示扫描量热法等方法对共聚物PATTM和PATTM-A的结构与性能进行了表征;以PATTM-A为基体树脂配制了光刻胶,利用扫描电子显微镜测试了光刻胶分辨率。结果表明,随着MAM含量升高,PATTM-A的相对分子质量下降,玻璃化转变温度升高,耐碱性增强,所制备的光刻胶分辨率可达0.5μm。