基于SG算法的MEMS加速度传感器信号恢复研究

针对信号恢复前期存在局部干扰噪声,导致信号恢复质量较差和恢复速率较慢的问题,提出基于SG算法的MEMS加速度传感器信号恢复方法。将小波SG设定为传感器的预滤波单元,降低白噪声和局部强干扰对信号恢复产生的影响,同时结合EEMD抑制模式的特性剔除无利用价值的信号,提取有效的信号。将经过去噪处理信号的时间域平滑特性和空间平滑特性相结合,组建联合图模型。通过联合图模型中传感器信号的关联特性设计迭代恢复算法,最终完成MEMS加速度传感器信号恢复。实验结果表明,基于SG算法的MEMS加速度传感器信号恢复方法,可获取高质量和高效率的信号恢复结果。

IC卡最佳封装良率控制对生产运营模式的影响

基于智能IC卡封装代工模式,建立卡片制造商基准封装良率与封装利润之间的关系模型。客户设定封装良率目标越高,越有利于客户,但是卡片制造商的单张卡片封装利润最大值会变小,越不利于卡片制造商。无论客户设定封装良率目标多少,卡片制造商为了追求卡片封装利润最大化,都会采取基准封装良率小于或等于客户设定的封装良率目标的策略,在每次供货时赔付客户额外的模块损失,其中双方的封装良率差距由单张卡片封装良率控制系数决定。单张卡片封装良率控制系数越小,表明卡片制造商的封装能力越强,卡片封装利润最大值越大。卡片制造商需要持之以恒地降低单张卡片封装良率控制系数,从而提高生产线封装能力。

不同减划技术对硅片良率影响的分析研究

目前随着集成电路技术的不断发展,工业应用等级的不断提高,其芯片硅片朝着高密度、高性能、轻薄化的方向不断发展,CPU芯片甚至已到10纳米以下,集成度非常高。为了满足小型密集化产品的市场需求,IC封装的技术需求,对硅片减薄的地位和要求也越来越高,减划的质量直接影响到芯片晶粒的好坏。本文从不同减划工艺方式,技术参数和特点等,对硅片的减划后的良率影响进行分析讨论。