期刊文献+
共找到14篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
导模法生长大尺寸高质量β-Ga2O3单晶 被引量:5
1
作者 练小正 张胜男 +3 位作者 程红娟 齐海涛 金雷 徐永宽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期622-626,共5页
以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模(EFG)法生长了2英寸(1英寸=2.54 cm)未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了... 以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模(EFG)法生长了2英寸(1英寸=2.54 cm)未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了测试和表征。结果表明,CO2保护气氛能够极大地抑制Ga2O3材料的高温分解,当CO2生长气压为1.5×105Pa时,Ga2O3的平均分解速率低于1 g/h。(100)面β-Ga2O3单晶的X射线衍射(XRD)摇摆曲线测试结果表明,其半高宽低至29 arcsec,表明晶体具有较高的质量;对晶体(100)面进行了位错腐蚀,结果显示其位错密度较低,约为4.9×10^4cm^-2;傅里叶变换红外光谱仪测试结果显示,β-Ga2O3单晶在紫外、可见光透过率达到80%以上。 展开更多
关键词 β-Ga2O3单晶 宽带隙半导体 导模(EFG)法 晶体生长 透过率
下载PDF
大尺寸高质量GaSb单晶研究 被引量:1
2
作者 练小正 李璐杰 +3 位作者 张志鹏 张颖武 程红娟 徐永宽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期901-905,共5页
采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成。通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶。此外... 采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成。通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶。此外,研究了单晶内部位错分布特点,结果显示GaSb晶体具有较低的位错密度,EPD≤500 cm^(-2);同时,对晶体进行XRD摇摆曲线测试,其FWHM值为27arcsec,表明晶体质量较高;此外,对晶体进行了电学性能测试,结果显示制备的GaSb晶体呈P型导电,晶体迁移率为610 cm^2/V·s,载流子浓度达到了1.68×10^(17)cm^(-3)。 展开更多
关键词 GASB 垂直布里奇曼法 位错密度 覆盖剂
下载PDF
大尺寸β-Ga2O3晶片的机械剥离及性能 被引量:1
3
作者 练小正 张胜男 +4 位作者 程红娟 王健 齐海涛 陈建丽 徐永宽 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第6期450-454,共5页
针对β—Ga2O3单晶易解理的特性,研究了晶体形状对其(100)主解理面的机械剥离影响。结果表明,棱角较为平缓的体单晶机械剥离时容易出现碎裂,而棱角尖锐的体单晶极易实现机械剥离,并且成功剥离出尺寸大于30mm×10mm的β-Ga2O3... 针对β—Ga2O3单晶易解理的特性,研究了晶体形状对其(100)主解理面的机械剥离影响。结果表明,棱角较为平缓的体单晶机械剥离时容易出现碎裂,而棱角尖锐的体单晶极易实现机械剥离,并且成功剥离出尺寸大于30mm×10mm的β-Ga2O3单晶片。测试了剥离的β-Ga2O3单晶片微观形貌、表面粗糙度、晶体质量以及位错。结果显示,剥离的β-Ga2O3单晶片具有高的表面质量;原子力显微镜(AFM)测试表明,晶片整体表面粗糙度小于1nm,存在0.5~1nm厚的原子台阶;晶片X射线衍射(XRD)摇摆曲线测试显示,其半高宽(FWHM)值低至50arc-sec,表明晶体具有较高的质量;对晶片进行位错腐蚀,结果显示制备的β-Ga2O3晶片具有较低的位错密度,约为6×10^4cm^-2。 展开更多
关键词 β-Ga2O3 单晶 晶体加工 机械剥离 表面质量
下载PDF
K元素对CdS晶体光学及电学性能的影响
4
作者 练小正 齐海涛 +3 位作者 张颖武 司华青 程红娟 徐永宽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期846-849,共4页
采用物理气相输运(PVT)法生长了直径为50 mm的K掺杂Cd S晶体,对掺杂和未掺杂的Cd S晶片进行显微观察、二次离子质谱(SIMS)成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对Cd S晶体光学及电学性能的影响。生长时用KCl... 采用物理气相输运(PVT)法生长了直径为50 mm的K掺杂Cd S晶体,对掺杂和未掺杂的Cd S晶片进行显微观察、二次离子质谱(SIMS)成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对Cd S晶体光学及电学性能的影响。生长时用KCl进行掺杂。显微观察显示,掺杂KCl后Cd S晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K元素,而Cl元素未掺入晶体中。红外光谱透过率发现掺杂K元素的Cd S晶体相比于未掺杂晶体,不仅在波长为2.5~10μm内红外透过率显著下降,而且在波长为10μm以上时红外透过率甚至低于15%。另外,K元素掺杂Cd S晶体电学性能也发生变化,晶体迁移率也由未掺杂的318 cm2/(V·s)下降为146 cm2/(V·s)。 展开更多
关键词 硫化镉 单晶 氯化钾掺杂 光学特征 电学特征
下载PDF
β-Ga_2O_3(100)面的CMP研究及优化 被引量:4
5
作者 徐世海 李晖 +3 位作者 高飞 练小正 朱磊 陈阳 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第3期208-212,共5页
主要研究了Czochralski法生长的β-Ga_2O_3单晶片的化学机械抛光(CMP)。采用酸性硅溶胶溶液作为抛光液,对经过切割、机械抛光后的10 mm×10 mmβ-Ga_2O_3单晶片进行了CMP实验。通过金相显微镜观察到4 h的抛光过程中,单晶片表面逐渐... 主要研究了Czochralski法生长的β-Ga_2O_3单晶片的化学机械抛光(CMP)。采用酸性硅溶胶溶液作为抛光液,对经过切割、机械抛光后的10 mm×10 mmβ-Ga_2O_3单晶片进行了CMP实验。通过金相显微镜观察到4 h的抛光过程中,单晶片表面逐渐平坦化,经原子力显微镜(AFM)测试,单晶片的表面粗糙度达到了0.174 nm。在采用AxDyOz和LClk的混合酸性溶液对β-Ga_2O_3单晶片进行抛光后,获得了更好的晶片表面状态和去除速率。通过实验得出,在采用酸性硅溶胶溶液对β-Ga_2O_3单晶片进行CMP时,单晶片表面被酸性溶液腐蚀,然后通过SiO_2粒子的磨削作用使表面达到平坦化。而优化实验中,采用AxDyOz和LClk混合酸性溶液中原位产生的DlOm粒子作为磨粒,抛光效果更佳。 展开更多
关键词 氧化镓 化学机械抛光(CMP) 抛光液 平坦化 硅溶胶
下载PDF
大尺寸硒化镉单晶生长及性能表征 被引量:4
6
作者 张颖武 练小正 程红娟 《天津科技大学学报》 CAS 北大核心 2015年第6期34-37,共4页
硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料.以硫化镉(CdS)晶片作为籽晶,采用物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸CdSe单晶,并对其晶体结构和光学性能进行了表征.EDS和Raman测试显示,在晶体生长初期形成了CdSe_xS_(1-x),随... 硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料.以硫化镉(CdS)晶片作为籽晶,采用物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸CdSe单晶,并对其晶体结构和光学性能进行了表征.EDS和Raman测试显示,在晶体生长初期形成了CdSe_xS_(1-x),随着晶体生长硫元素含量逐渐减少并最终消失,最终生长出的CdSe材料为纯相的纤锌矿型CdSe晶体材料.XRD测试显示CdSe晶体的晶格完整性较高.以上结果表明,PVT法是一种理想的大尺寸CdSe单晶生长方法. 展开更多
关键词 CD SE 大尺寸 单晶 PVT法
下载PDF
β-Ga_2O_3体单晶X射线光电子能谱分析
7
作者 程红娟 张胜男 +2 位作者 练小正 金雷 徐永宽 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第1期8-12,共5页
通过对导模法制备的非故意掺杂、Si掺杂β-Ga_2O_3晶体和Si掺杂后退火处理的β-Ga_2O_3晶体进行了X射线光电子能谱分析(XPS),对比分析不同样品的Ga3d、Ga2p、O1s特征峰位和峰强度变化,并结合文献报道中β-Ga_2O_3薄膜及单晶材料的报道结... 通过对导模法制备的非故意掺杂、Si掺杂β-Ga_2O_3晶体和Si掺杂后退火处理的β-Ga_2O_3晶体进行了X射线光电子能谱分析(XPS),对比分析不同样品的Ga3d、Ga2p、O1s特征峰位和峰强度变化,并结合文献报道中β-Ga_2O_3薄膜及单晶材料的报道结果,进一步确认β-Ga_2O_3体单晶特征峰峰值。同时,通过对各峰强度的变化进行对比分析,对次峰产生的原因进行推测,获得Si掺杂及退火对晶体表面及晶体内部个特征峰的变化规律。 展开更多
关键词 β-Ga2O3晶体 导模法 X射线光电子能谱分析 特征峰
下载PDF
低缺陷β-Ga_2O_3单晶材料生长技术研究
8
作者 张颖武 练小正 +1 位作者 张政 程红娟 《河南科技》 2016年第13期140-142,共3页
β-Ga_2O_3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料,基于此,介绍β-Ga_2O_3的特性及应用潜力,阐述大尺寸β-Ga_2O_3单晶生长面临的难点,并结合国内外β-Ga_2O_3单晶生长技术进展,分析低缺陷β-Ga_2O_3单晶材料生长方法。
关键词 β-Ga2O3 宽带隙 单晶
下载PDF
β-Ga_2O_3单晶腐蚀坑形貌研究 被引量:1
9
作者 杨丹丹 金雷 +4 位作者 张胜男 练小正 孙科伟 程红娟 徐永宽 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第6期435-439,共5页
详细介绍了(100)、(010)和(■01)三种不同晶面的β-Ga_2O_3单晶腐蚀坑形貌状态及不同形貌的演变过程。所用β-Ga_2O_3单晶样品均为导模法(EFG)制备,且经过研磨、化学机械抛光(CMP),表面质量良好。以质量分数为85%的分析纯H_3PO_4溶液为... 详细介绍了(100)、(010)和(■01)三种不同晶面的β-Ga_2O_3单晶腐蚀坑形貌状态及不同形貌的演变过程。所用β-Ga_2O_3单晶样品均为导模法(EFG)制备,且经过研磨、化学机械抛光(CMP),表面质量良好。以质量分数为85%的分析纯H_3PO_4溶液为腐蚀液,腐蚀时间为1.5 h,腐蚀温度为90℃时,(100)、(010)和(■01)晶面腐蚀坑密度分别约为6.9×10^(4 )cm^(-2)、2.3×10^(4 )cm^(-2)和7.7×10^(4 )cm^(-2)。通过光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察,结果表明(100)面腐蚀坑形状为非对称六边形,(010)面腐蚀坑形貌为菱形,(■01)面腐蚀坑形貌为倾斜的五边形,并确定了(100)面、(010)面、(■01)面的最终腐蚀坑状态,腐蚀坑的不同形状可能与不同晶向β-Ga_2O_3表面状态的耐化学腐蚀差异有关。 展开更多
关键词 导模法(EFG) β-Ga2O3单晶 位错密度 腐蚀坑形貌 扫描电子显微镜(SEM)
下载PDF
镉气氛退火对CdS单晶材料性能的影响
10
作者 李强 张颖武 +2 位作者 司华青 练小正 程红娟 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期275-277,共3页
硫化镉(CdS)是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接跃迁、宽带隙化合物半导体材料。将本征高阻的CdS单晶材料在镉气氛中高温退火,并对退火后的CdS材料进行电学、光学特性表征。测试结果表明,镉气氛退火可使本征高阻的CdS单晶转变为低阻CdS材... 硫化镉(CdS)是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接跃迁、宽带隙化合物半导体材料。将本征高阻的CdS单晶材料在镉气氛中高温退火,并对退火后的CdS材料进行电学、光学特性表征。测试结果表明,镉气氛退火可使本征高阻的CdS单晶转变为低阻CdS材料,从而实现对CdS材料电学特性调控。 展开更多
关键词 硫化镉(CdS) 单晶 镉气氛 退火 电学 光学
下载PDF
Si/Mg/Fe掺杂β-Ga2O3单晶拉曼光谱表征及分析
11
作者 张胜男 练小正 +3 位作者 张颖 王健 刘卫丹 程红娟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第2期158-162,共5页
β-Ga2O3单晶材料由于其优异的性能得到了广泛关注,但是对于其掺杂、能级、电学性能等方面的研究仍然比较欠缺。采用导模法分别制备了非故意掺杂β-Ga2O3单晶和Si/Mg/Fe掺杂的β-Ga2O3单晶,对样品进行了拉曼光谱测试和电学性能测试,研... β-Ga2O3单晶材料由于其优异的性能得到了广泛关注,但是对于其掺杂、能级、电学性能等方面的研究仍然比较欠缺。采用导模法分别制备了非故意掺杂β-Ga2O3单晶和Si/Mg/Fe掺杂的β-Ga2O3单晶,对样品进行了拉曼光谱测试和电学性能测试,研究不同掺杂元素对拉曼光谱的影响。对β-Ga2O3单晶的声子谱进行计算,并通过拉曼光谱测试进行了验证,对掺杂元素的取代位置进行了分析。结果表明,掺杂元素会对拉曼峰强度产生显著影响,Si、Mg、Fe均倾向于取代GaⅡO6八面体中心的GaⅡ原子。根据电学性能测试结果,Si掺杂会使β-Ga2O3单晶呈n型导电,Mg或Fe掺杂会使β-Ga2O3单晶呈半绝缘态。 展开更多
关键词 β-Ga2O3单晶 拉曼光谱 电学性能 非故意掺杂 Si/Mg/Fe掺杂
下载PDF
Al/Al_2O_3/Cu测控温薄膜材料的制备
12
作者 于佳音 崔新芳 +1 位作者 练小正 乔英杰 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2013年第2期128-131,共4页
针对液浮陀螺仪悬浮液的应用环境,设计出Al/Al_2O_3/Cu测控温材料。采用阳极氧化的方法在草酸与冰乙酸组成的电解液中制备了阳极氧化膜绝缘层,并采用磁控溅射的方法制备了温度敏感层。利用扫描电镜、原子力显微镜和光学显微镜等研究了... 针对液浮陀螺仪悬浮液的应用环境,设计出Al/Al_2O_3/Cu测控温材料。采用阳极氧化的方法在草酸与冰乙酸组成的电解液中制备了阳极氧化膜绝缘层,并采用磁控溅射的方法制备了温度敏感层。利用扫描电镜、原子力显微镜和光学显微镜等研究了阳极氧化膜和铜膜的表面形貌,采用绝缘电阻测试仪测试阳极氧化膜的绝缘性能。结果表明,阳极氧化工艺对阳极氧化膜的绝缘性能以及热处理过程中的开裂行为都有一定影响。电流密度为1.0~1.5 A/dm^2,冰乙酸浓度为0.1~0.3 mol/L,阳极氧化时间在30~60 min条件下制备的氧化膜绝缘性能和抗开裂性能满足Al/Al_2O_3/Cu绝缘层要求。以该氧化膜为衬底制备铜膜刻蚀后可得到连续的电阻条。 展开更多
关键词 陀螺仪 温度传感器 复合薄膜 氧化膜 磁控溅射
下载PDF
Study on the characterization and technology of Cu thin-film temperature sensor fabricated on aluminum alloy
13
作者 乔英杰 崔新芳 +1 位作者 刘瑞良 练小正 《Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)》 EI CAS 2012年第3期109-114,共6页
In the present study,anodic films on aluminium alloy was used as the dielectric layer for Cu thinfilm temperature sensor,and then Cu film was deposited by unbalanced magnetron sputtering ion plating as the sensitive l... In the present study,anodic films on aluminium alloy was used as the dielectric layer for Cu thinfilm temperature sensor,and then Cu film was deposited by unbalanced magnetron sputtering ion plating as the sensitive layer.Microstructure and surface morphologies of Cu film were investigated by optical microscope(OM),atomic force microscope(AFM) and scanning electron microscope(SEM).Electrical properties of Cu thin-film temperature sensor were tested by four-point probe technique and Digit Multimeter.The results showed that the surface roughness of anodic films can be reduced from Ra 58.096 nm to Ra 16.335 nm by proper polishing.Continual Cu stripes can be obtained both on polished anodic alumina film and smooth alumina wafer by etching after Cu film annealing.The resistivity of Cu films before and after 300 ℃ as well as 400 ℃ annealing are 12.48 mΩ·cm,5.48 mΩ·cm and 4.83 mΩ·cm,respectively.The resistances of Cu thin-film temperature sensor in 70 ℃ and 0 ℃ are 946.5 Ω and 761.15 Ω respectively.The temperature coefficient of resistivity(TCR) of the sensor is 3479 × 10^(- 6) /℃. 展开更多
关键词 thin-film temperature SENSOR ANNEALING MORPHOLOGY electrical properties
下载PDF
Effects of current density on the corrosion behaviour of anodized aluminum alloy in FeCl_3 solution
14
作者 崔新芳 乔英杰 +1 位作者 刘瑞良 练小正 《Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)》 EI CAS 2012年第3期56-60,共5页
In the present study, 2024 aluminum alloy specimen was anodized in acetic acid and oxalic acid e- lectrolytes. Effects of the current density on the microstructure and corrosion resistance of anodic oxide film have be... In the present study, 2024 aluminum alloy specimen was anodized in acetic acid and oxalic acid e- lectrolytes. Effects of the current density on the microstructure and corrosion resistance of anodic oxide film have been investigated. The steady voltage increases from 11 V to 71 V with the current density increase from 0. 5 A/din2 to 2. 5 A/din2. The SEM reveals that there are pits, cavities and irregular pores in the anodic film, and their size and morphologies change with the current density. The corrosion resistance of the film was evalua- ted by potentiodynamic polarization and electrochemical impedance in 0.1 mol/L FeC13 solution at room temper- ature. The results show that corrosion resistance of the anodic oxide film changes with the current density, and the anodic fihn formed at the current density of 1.0 A/dm2 has the best corrosion resistance. These observations indicate that anodic film formed at J -- 1.0 A/dm2can serve as a support material for the Cu micrometallic pat- 展开更多
关键词 aluminum alloy anodic oxide film corrosion resistance FeC13 solution
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部