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沉积压强对Sc掺杂ZnO薄膜性能的影响 被引量:6
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作者 缪存星 赵占霞 +2 位作者 栗敏 徐飞 马忠权 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期139-143,共5页
利用射频磁控溅射方法,采用Sc2O3掺杂(质量百分比2%)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜。用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3Pa到2.0Pa的变化对SZO薄膜的微结构及光学特性的... 利用射频磁控溅射方法,采用Sc2O3掺杂(质量百分比2%)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜。用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3Pa到2.0Pa的变化对SZO薄膜的微结构及光学特性的影响。XRD研究结果表明所有样品都是六角密堆积结构,而且溅射压强对SZO薄膜的微结构有着显著的影响。所有SZO薄膜的透过率在可见光区域均大于85%,近紫外区域由于吸收,透射率大大降低。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 SZO薄膜 溅射压强 透明导电氧化物
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