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厚膜集成空心冷阴极平板荧光背照组件
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作者 缪承纪 《光电子技术》 CAS 1992年第3期250-252,共3页
液晶显示尤其是全色 TFT-LCD 的迅速发展,促成了荧光背照器件进展。为提高大面积背照光亮度均匀性,由分立式荧光管形灯(TFL)向平板荧光灯(FFL)转变,成了必然趋势。将管形灯改成平面灯,伴随气体放电几何结构的改变,需克服放电稳定性及驱... 液晶显示尤其是全色 TFT-LCD 的迅速发展,促成了荧光背照器件进展。为提高大面积背照光亮度均匀性,由分立式荧光管形灯(TFL)向平板荧光灯(FFL)转变,成了必然趋势。将管形灯改成平面灯,伴随气体放电几何结构的改变,需克服放电稳定性及驱动难问题。岸本等人于1988年研制成功全色 LCD 背照 FFL 器件,在对角线为7.6cm 的 FFL 上,亮度均匀性为70%,而常规 TFL 背照组件仅44%。岸本设计的平面灯。 展开更多
关键词 平板 荧光灯 背照组件 厚膜 冷阴极
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采用绝缘钛酸钡陶瓷片的ZnS:Mn低电压驱动薄膜电致发光器件
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作者 缪承纪 《光电子技术》 CAS 1989年第2期33-36,57,共5页
在作为绝缘层的BaTiO_3陶瓷基片上,采用二硫化碳作为硫源,用MOCVD法生长的ZnS:Mn发射层,业已制成ZnS:Mn 薄膜电致发光器件。ZnS:Mn发射层厚度为170纳米的电致发光器件,施加电压(正弦波,5千赫)为7伏时,以及发射层厚度为400纳米、施加电压... 在作为绝缘层的BaTiO_3陶瓷基片上,采用二硫化碳作为硫源,用MOCVD法生长的ZnS:Mn发射层,业已制成ZnS:Mn 薄膜电致发光器件。ZnS:Mn发射层厚度为170纳米的电致发光器件,施加电压(正弦波,5千赫)为7伏时,以及发射层厚度为400纳米、施加电压为20伏时,所得到的亮度为1尼特。本文达到的最高亮度和发光效率分别为6300尼特及约11流明/瓦。有一个器件在60赫,100伏电压的驱动下,其亮度为200尼特。 展开更多
关键词 电致发光器件 簿膜 陶瓷片 酸钡
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高性能ZnS:Mn EL显示器制作新技术
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作者 缪承纪 《光电子技术》 CAS 1992年第2期161-165,共5页
为了制得高性能 ZnS:Mn EL 显示器,国外研究人员作了不少努力,下面介绍几种技术。1.用 MOCVD 技术生长高亮度 ZnS:Mn 层MOCVD 优点是能大面积淀积优质薄膜,淀积温度低,适合碱玻璃基片。还有,荧光层和介电膜可相继连续淀积,可省掉退火工... 为了制得高性能 ZnS:Mn EL 显示器,国外研究人员作了不少努力,下面介绍几种技术。1.用 MOCVD 技术生长高亮度 ZnS:Mn 层MOCVD 优点是能大面积淀积优质薄膜,淀积温度低,适合碱玻璃基片。还有,荧光层和介电膜可相继连续淀积,可省掉退火工艺,显示板生产率大为提高。日本用 MOCVD 展开更多
关键词 ZNS:MN EL 显示器 制造
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双靶溅射法制作的ZnS:TbOF薄膜电致发光绿色显示板
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作者 Kenji Okamoto 缪承纪 《光电子技术》 CAS 1990年第4期45-52,共8页
本文研究了双靶射频磁控溅射装置,能重复制作明亮的 ZnS∶TbOF薄膜电致发光绿色显示板。ZnS 和 Tb 由各自的靶进行溅射,基片在这两靶间运动。这种设计导致 ZnS 厚度及 Tb 掺杂浓度优良的可控性。已研制出 TbOF 靶以形成有效的 TbOF 络... 本文研究了双靶射频磁控溅射装置,能重复制作明亮的 ZnS∶TbOF薄膜电致发光绿色显示板。ZnS 和 Tb 由各自的靶进行溅射,基片在这两靶间运动。这种设计导致 ZnS 厚度及 Tb 掺杂浓度优良的可控性。已研制出 TbOF 靶以形成有效的 TbOF 络合物中心来提高亮度,并采用 Ar/He 混合气避免了对 ZnS 基质的溅射损伤。已研制成640×200薄膜电致发光绿色显示板样机,证明了本装置的大面积生产能力。根据 ZnS∶TbOF 和 ZnS∶Mn 激活层横向排列,也已制成薄膜电致发光多色显示板。 展开更多
关键词 电致发光 显示板 ZnS:TbOF薄膜
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