晶圆键合技术在LED应用中的研究进展

简要介绍了晶圆键合技术在发光二极管(LED)应用中的研究背景,分别论述了常用的黏合剂键合技术、金属键合技术和直接键合技术在高亮度垂直LED制备中的研究现状,包括它们的材料组成和作用、工艺步骤和参数以及优缺点。其中,黏合剂键合是一种低温键合技术,且易于应用、成本低、引入应力小,但可靠性较差;金属键合技术能提供高热导、高电导的稳定键合界面,与后续工艺兼容性好,但键合温度高,引入应力大,易造成晶圆损伤;表面活化直接键合技术能实现室温键合,降低由于不同材料间热失配带来的负面影响,但键合良率有待提高。

紫外光照射下GaN的电化学性质及CMP应用

通过电化学工作站对2英寸(1英寸=2.54 cm)n型GaN晶圆进行了研究,结合X62型单面抛光机研究GaN电化学腐蚀与化学机械抛光(CMP)的一致性,并利用原子力显微镜(AFM)检测抛光后晶片的表面形貌。结果表明:采用H_2O_2和NaClO作为氧化剂时,GaN的腐蚀速率与氧化剂的体积分数呈反比,在固定H2O2体积分数的情况下,GaN腐蚀速率呈现酸性溶液优于碱性溶液、同时二者均优于中性溶液的现象。使用X62型单面抛光机对上述电化学腐蚀结果进行验证,得到与其相一致的规律,在体积分数为1%的H_2O_2和pH=5的情况下,GaN的去除速率最高,达到380.3 nm/h,同时抛光后的GaN表面粗糙度达到0.063 nm,扫描范围为5μm×5μm。研究表明电化学腐蚀和化学机械抛光具有一定的一致性,在实际应用中具有一定的借鉴意义。