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退火处理后非掺磷化铟的电传输特性(英文)
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作者 赵有文 罗以琳 +3 位作者 孙聂枫 冯汉源 孙同年 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期1-5,共5页
利用变温霍尔和电流 -电压特性 (I- V)两种方法分别对半导体和半绝缘的退火非掺磷化铟材料进行了测量 .在非掺退火后的半导体磷化铟样品中可以测到缺陷带电导 ,这与自由电子浓度较低、有一定补偿度的原生非掺磷化铟的情况类似 .非掺 SI-... 利用变温霍尔和电流 -电压特性 (I- V)两种方法分别对半导体和半绝缘的退火非掺磷化铟材料进行了测量 .在非掺退火后的半导体磷化铟样品中可以测到缺陷带电导 ,这与自由电子浓度较低、有一定补偿度的原生非掺磷化铟的情况类似 .非掺 SI- In P表现出不同于原生掺铁的 SI- In P的 I- V特性 ,在一直到击穿为止的外加电场范围内呈欧姆特性 ,而掺铁 SI- In P的 I- V具有与陷阱填充有关非线性特征 .根据空间电荷限制电流的理论 ,这种现象可以解释为非掺 SI- In 展开更多
关键词 退火处理 磷化铟 电传输特性
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掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响(英文)
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作者 赵有文 罗以琳 +2 位作者 冯汉源 C.D.Beling 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1041-1045,共5页
利用霍尔效应、电流 电压 (I V)、光致发光谱 (PL)和光电流谱 (PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质 .半绝缘InP的I V特性明显地依赖于掺铁的浓度 .掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料中缺陷的形成有影响 .用PL和PC分别研究... 利用霍尔效应、电流 电压 (I V)、光致发光谱 (PL)和光电流谱 (PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质 .半绝缘InP的I V特性明显地依赖于掺铁的浓度 .掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料中缺陷的形成有影响 .用PL和PC分别研究了掺铁半绝缘InP的禁带收缩现象和材料中的缺陷 . 展开更多
关键词 掺铁浓度 磷化铟 半绝缘 缺陷
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金属诱导非晶硅(横向)结晶的扩散诱导模型
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作者 邱春文 罗以琳 《汕头大学学报(自然科学版)》 2004年第1期46-49,54,共5页
为了能定性定量解释金属诱导非晶硅薄膜结晶实验中所遇到的一系列现象 ,提出一套扩散诱导结晶模型 。
关键词 金属诱导结晶 非晶硅薄膜 扩散诱导模型 半导体 横向结晶
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SiCl_4/H_2为气源低温沉积多晶硅薄膜低温电学特性的研究 被引量:2
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作者 刘丽娟 罗以琳 +1 位作者 黄锐 林璇英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期876-878,共3页
对用SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的多晶硅薄膜进行了低温电学特性的研究。实验结果表明,多晶硅薄膜的暗电导强烈依赖于温度,在300~90K的温度范围内呈现不同的导电特性。对多晶硅薄膜,其导电... 对用SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的多晶硅薄膜进行了低温电学特性的研究。实验结果表明,多晶硅薄膜的暗电导强烈依赖于温度,在300~90K的温度范围内呈现不同的导电特性。对多晶硅薄膜,其导电特性还与晶化率有关,晶化率越大电导率越大。测量数据表明,低晶化率薄膜电输运主要由电子热发射跃过势垒所贡献,但对于高晶化率的薄膜要同时考虑电子隧穿对电导的影响。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 电导率 低温 晶化率
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SiCl_4/H_2为气源低温沉积多晶硅薄膜光电特性的研究 被引量:1
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作者 刘丽娟 罗以琳 林璇英 《材料研究与应用》 CAS 2008年第4期437-440,共4页
采用PECVD技术,通过改变射频功率制备了晶化率不同的多晶硅薄膜.对多晶硅材料光照稳定性的研究表明,晶化率较低的多晶硅稳定性好于普通非晶硅材料,但仍然存在着光衰减;晶化率较高的多晶硅材料显示出稳恒光电导效应,不存在光衰退现象;光... 采用PECVD技术,通过改变射频功率制备了晶化率不同的多晶硅薄膜.对多晶硅材料光照稳定性的研究表明,晶化率较低的多晶硅稳定性好于普通非晶硅材料,但仍然存在着光衰减;晶化率较高的多晶硅材料显示出稳恒光电导效应,不存在光衰退现象;光照时多晶硅材料的电导率增加,光注入后因光生载流子对缺陷态的填充使费米能级上移,激活能减小. 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 持续性光电导 晶化率
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Spatial distribution of electron characteristic in argon rf glow discharges 被引量:3
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作者 祝祖送 林揆训 +3 位作者 林璇英 邱桂明 余云鹏 罗以琳 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第5期969-974,共6页
The spatial distributions of the electron density and the mean electron energy of argon radio frequency (rf) glow discharge plasma in a plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) system have been investiga... The spatial distributions of the electron density and the mean electron energy of argon radio frequency (rf) glow discharge plasma in a plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) system have been investigated using an established movable Langmuir probe. The results indicate that in the axial direction the electron density tends to peak at midway between the two electrodes while the axial variation trend of mean electron energy is different from that of the electron density, the mean electron energy is high near the electrodes. And the mean electron energy near the cathode is much higher than that near the anode. This article focuses on the radial distribution of electron density and mean electron energy. A proposed theoretical model distribution agrees well with the experimental one: the electron density and the mean electron energy both increase from the centre of the glow to the edge of electrodes. This is useful for better understanding the discharge mechanism and searching for a better deposition condition to improve thin film quality. 展开更多
关键词 spatial distribution of electron characteristic a movable Langmuir probe radio frequency glow discharge
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