Ku波段GaNE类功率放大器

Ga NHEMT由于同时具有高功率密度和高速度的特点,是国内外学者研究的热点。同时,E类功率放大器具有良好的高效率宽频带的特性,应用前景广泛。本文基于南京电子器件研究所Ga N HEMT器件,开展了Ku波段Ga N E类功率放大器设计研究。针对Ga N HEMT器件较高的输出电容Cds,采用补偿微带的结构减小寄生参数的影响,设计了13.7GHz^14.2GHz的Ga N E类功率放大器。实测表明,该放大器在连续波输入功率25d Bm的情况下,在13.7GHz^14.2GHz频率范围内漏极效率大于36%,输出功率大于30d Bm。