基于反激式变换器的锂电池组均衡系统设计

针对大容量锂电池组在电动汽车中的应用,提出并设计了一种基于反激式变换器的锂电池组均衡系统。通过微控制器和驱动电路控制双向同步反激式变换器实现电池能量的双向转移,配合相应的均衡策略,进而实现电池组的双向均衡。采用12路串联锰酸锂电池组进行实验,实验数据表明该系统工作稳定,使用灵活,均衡效率高,均衡电流大。

微波功率器件的扇形线测试电路(英文)

在微波电路原理和半导体器件物理的基础上，设计和模拟了两种用于微波功率器件的测试电路，并且设计了与之配套的测试夹具．采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具在3-8GHz范围内进行了小信号测试．模拟和测试结果都表明，采用扇形线的测试电路性能较好．最后采用该电路和夹具对C波段AlGaN／GaN HEMT微波功率器件进行了微波功率测试，测试频率为5．4GHz．实验测得最大功率增益为8．75dB，最大输出功率为33．2dBm。

高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制

在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该1mm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压>80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.

基于磁场检测的自平衡巡线智能小车设计

文中以第七届"飞思卡尔"杯大学生智能车竞赛为背景,以飞思卡尔MC9S12XS128单片机为核心,设计了一种自平衡巡线智能车系统。本设计基于倒立摆的动力学模型,经过卡尔曼滤波算法对陀螺仪和加速度计的输出信号进行处理得到智能车的角速度和倾角,再通过PID运算处理后的输出控制智能车的平衡、前进和转向。实验及实际比赛表明,本智能车系统可稳定运行,具有速度快,转向灵活,抗干扰性强的特点。

Mg_2Sn热电粉体的低温固相反应合成及工艺控制

为了解决传统方法制备Mg2X(X=Si、Ge、Sn)基热电材料过程中带来Mg的氧化,挥发,碳化等问题,引进低温固相反应法,成功合成了Mg2Sn粉体,用DTA、XRD、SEM、EDS等分析手段对合成的粉体物相和形貌进行了表征,并系统研究了合成工艺对粉体制备的影响。结果表明:通过改变升温制度可以抑制Mg氧化;调节预压力大小可以有效抑制Sn析出,控制Mg过量可以补偿Mg的挥发;本实验条件下,当Mg过量0.0025mol、预成型压力20MPa、823K下保温8h时,可以得到单相Mg2Sn热电化合物粉体。

不同评级机构评定的信用等级等价性分析

本文以2010-2014年银行间债券市场发行的1829期中期票据数据为样本,实证分析评级机构选择对中期票据发行成本的影响,并最终得出相关结论。

微波功率器件的滤波器测试电路

在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了三种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具,在3～8GHz范围内进行了小信号测试.模拟和测试结果表明,采用阶梯阻抗滤波器偏置网络的测试电路性能较好,比采用扇形线偏置网络的测试电路具有更宽的带宽.该滤波器偏置电路能够用来在整个C波段,即在4～8GHz内对微波功率器件进行测试.但是,微带叉指耦合电容没有起到取代贴片隔直电容的目的,原因是该结构对参数精度要求高,而PCB制作工艺无法满足这个要求.

企业短期债务滚动发行风险与信用评级关系实证检验

基于2012-2014年间信用债发行企业微观数据,本文以信用评级为研究对象实证检验了企业债务期限结构对其信用风险的影响。实证结果显示,企业短期债务滚动发行风险被评级机构捕捉到并反映在其评级中,在其他条件一致的情况下,短期债务占比越高的企业会获得更低的评级。但债务期限结构对不同属性企业信用评级影响方向不同,显示评级机构可能对不同属性企业短期债务的滚动发行风险信心存在差异。

MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构(英文)

用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和11588cm2/(V.s),相应二维电子气浓度为1.03×1013cm-2;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有良好的晶体质量和表面形貌,10μm×10μm样品的表面粗糙度为0.27nm.用此材料研制出了栅长为0.8μm,栅宽为1.2mm的HEMT器件,最大漏极饱和电流密度和非本征跨导分别为957mA/mm和267mS/mm.

城镇化与生态经济市建设研究进展综述

生态问题己经成为城镇化和城市规划中的核心。本文通过对中国城镇化进程、城镇化相关理论的回顾,结合国内外关于生态经济城市的概念体系、目标模式、基础设施建设和管理、产业生态化以及生态城市建设中的区域合作等方面的探讨,总结出中国城镇化目前所处的位置以及生态经济市建设相关研究未来的发展方向,为中国在城镇化和城市规划中实施可持续发展战略提供一个有用的借鉴。

基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计

我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5 W),最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4dBm(4.4 W),最大的PAE为42.7%.

SiC衬底上高性能AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制

用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘4H-和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,室温二维电子气迁移率和浓度分别为2215cm2/(V·s)和1.044×1013cm-2;50mm外延片平均方块电阻不高于253.7Ω/□,方块电阻不均匀性小于2.02%;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有较高的晶体质量和表面质量.用以上材料研制出了1mm栅宽AlGaN/GaN HEMT功率器件,8GHz连续波输入下器件的输出功率密度为8.25W/mm,功率附加效率为39.4%;对研制的器件进行了可靠性测试,器件连续工作半小时后,输出功率只下降了0.1dBm,表明所研制的器件具备了一定的可靠性.

基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计(英文)

研制了一种基于Al GaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS=40V,IDS=0.9A时,输出连续波饱和功率在5.4GHz达到41.4dBm,最大的PAE为32.54%,并且功率合成效率达到69%.

AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能

利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2,器件的I-V测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向,I-V特性计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV和4.83.将器件在300℃中温退火,器件的电学性能有所改善.

基于FPGA的数字磁通计设计

介绍一种基于FPGA的数字磁通计的设计,利用FPGA控制同步采样ADC以固定频率进行采样,在FPGA内部实现了数字滤波、自动校准、自动量程选择、数字积分等功能。相比于模拟磁通计,简化了仪器的操作难度,提高了系统的稳定性。实验表明,其测量值无漂移,测量精度高于0.5%。

Si基超薄势垒InAlN/GaN HEMT开关器件小信号模型

为了更好地表征Si基超薄InAlN/GaN HEMT开关器件的特性和开发更精确的开关电路模型,基于0.25μm HEMT工艺制备了不同栅极电阻的开关器件,提出了附加10 kΩ栅极电阻的器件结构,并对开关器件进行了小信号模型分析。采用传统的去嵌结构提取了开关器件的寄生电容、电感和电阻参数来得到相应的本征参数。采用误差因子评估模型的准确度,结果表明模型拟合和实测的S参数基本吻合。最后将模型应用在Ku波段单刀双掷(SPDT)开关电路的设计中,实测的开启状态下该电路的插入损耗小于2.28 dB,输入回波损耗大于10 dB,输出回波损耗大于12 dB;关断状态下其隔离度大于36.54 dB。所提出的Si基InAlN/GaN HEMT模型可以为Si基HEMT的电路设计和集成提供一定的理论指导。

一种风力发电机组轴瓦式齿轮箱减振器的研制

介绍了三点支撑式风力发电机组用轴瓦式齿轮箱减振器的载荷计算、结构设计及刚度计算方法。根据产品的载荷工况及技术输入,确定了产品的整体方案,使用ABAQUS 6.10软件对产品进行了有限元分析,确定了产品的具体结构,计算结果表明产品的刚度和强度均满足技术要求。通过产品试验进一步验证了产品在给定载荷下是安全可靠的。

AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取

利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system)建立HEMT小信号等效电路模型,并对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈和指导.

基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制

本文报道了基于国产外延材料的SiC基Al GaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)器件的研制,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)生长,器件栅长0.8μm,输出电流密度达到0.94A/mm,在5.4GHz下,单指型管芯获得了3.1W/mm的连续波测试功率,与蓝宝石衬底的器件相比,由于自热效应的有效改善,输出功率能力大大提高.

经胆囊后三角入路和经胆囊三角入路腹腔镜胆囊切除术治疗胆囊结石伴慢性胆囊炎患者疗效及对血清炎症因子的影响

目的探讨经胆囊后三角入路与经胆囊三角入路行腹腔镜胆囊切除术(LC)治疗胆囊结石伴慢性胆囊炎患者的疗效及对血清炎症因子水平的影响。方法2018年1月~2022年12月我院收治的62例胆囊结石伴慢性胆囊炎患者,被随机分为观察组和对照组,每组31例,分别采取经胆囊后三角入路或经胆囊三角入路行LC术。采用ELISA法检测C-反应蛋白(CRP)、肿瘤坏死因子(TNF-α)和白介素-8(IL-8)水平,使用流式细胞仪检测外周血淋巴细胞亚群。结果观察组手术时间、术中出血量、胃肠道功能恢复时间和住院日分别为(27.5±2.4)min、(27.8±4.3)mL、(20.4±3.2)h和(3.9±0.9)d,显著短于或少于对照组【分别为(32.9±3.8)min、(40.6±6.5)mL、(27.9±4.5)h和(6.2±1.5)d,P<0.05】;在术后3 d,观察组血清CRP、TNF-α和IL-8水平分别为(32.7±2.5)mg/L、(16.4±2.6)ng/L和(11.2±2.5)ng/L,均显著低于对照组【分别为(44.5±3.9)mg/L、(20.6±2.9)ng/L和(16.8±2.7)ng/L,P<0.05】;观察组外周血CD4+和CD8+细胞百分比及CD4+/CD8+细胞比值分别为(50.6±2.3)%、(25.6±3.7)%和(1.9±0.6),与对照组【分别为(51.2±2.7)%、(26.1±3.4)%和(1.9±0.8)】比,无显著性差异(P>0.05);观察组术中中转开腹和术后皮下气肿、胆漏、胆管损伤、动脉损伤等并发症发生率为9.7%,显著低于对照组的32.3%(P<0.05)。结论经胆囊后三角入路行LC手术治疗胆囊结石伴慢性胆囊炎患者更有利于手术的开展,减少并发症发生,可能与手术操作顺利,降低了应激反应有关。