晶体倒角工艺改进方法研究

针对非标准尺寸的晶块和晶圆在倒角过程中存在崩边、崩缺等问题,该文通过设计并排式组合夹具和真空吸附盘组件将产品固定,同时设计45°和弧形刀具,然后采用单一直线和正偏移路径进行加工。实验结果表明,与传统的倒角工艺相比,优化能大幅度地降低倒角过程中产生的崩边、崩缺等问题,不合格率从14.78%降低到3.09%,有利于批量生产。

压电陶瓷圆片单面研磨抛光工艺

介绍了一种在行星式双面磨抛设备上对压电陶瓷圆片进行单面研磨和抛光的工艺。在加工过程中,使用了自制的全水溶性粘接剂来粘接晶片,实现了圆片单面所有磨抛加工流程都在双面磨抛设备上进行。采用自制化学腐蚀液分段腐蚀控制圆片形貌(翘曲度)的变化,中间研磨工序优化介质控制表面粗糙度和划道、SiO2胶体化学机械抛光去除亚损伤层,获得了高品质的铝钛酸铝压电陶瓷(PZT)单面抛光圆片。

高温稀土氧化物系列核辐射探测材料关键技术及应用

以掺铈铝酸钆镓(Ce:GAGG)和掺铈硅酸钇镥(Ce:LYSO)为代表的高温稀土氧化物系列核辐射探测材料综合性能优异、应用面广,受到欧、美、日本等发达国家的高度重视.其中,Ce:GAGG晶体光输出高、余辉低,主要应用在安检、工业无损探伤、医疗CT等X射线成像应用领域;Ce:LYSO晶体密度高、衰减时间快,主要应用在基于γ射线探测技术的飞行时间正电子发射断层成像(TOF-PET)等核医学影像装备中.此外,该系列材料也是高能物理、实验天体物理和国防领域迫切需求的关键材料.

SiO_2-BaO体系玻璃与金属的封接工艺

采用高温固相法制备出SiO2–BaO体系的特种玻璃,并与碳钢、合金等金属封接,制备了SiO2–BaO体系的特种玻璃封接元件。研究了封接温度和时间、封接气氛和退火等工艺参数对封接样品抗压强度、导电性能、密封性和热学稳定性的影响。通过扫描电子显微镜和能谱仪对封接界面处的形貌和元素进行了分析。结果表明:制备的封接器件具有优良的力学性能、密封性、热稳定性及电性能。最佳的封接工艺参数为:封接温度为975～985℃、封接时间为20 min、封接气氛为N2;其退火温度为490～530℃,退火时间为20 min。玻璃和金属封接处致密,无裂缝和气泡缺陷。封接界面处化学组成成分中最多的元素是C、Si、Ba和Mn。