热处理对环境半导体材料β-FeSi_2形成的影响

作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。

π相位光阑调制的高数值孔径聚焦特性研究

利用半径较大的环形光阑使得聚焦区域产生较强的轴向电场分量,用半径较小的环形光阑结合π相位板在聚焦区域形成轴向电场分布,但电场振动方向与半径较大的环形光阑产生的轴向电场相反,从而使得半径较大的环形光阑在聚焦区域形成的聚焦斑被整形,在一定条件下可大大缩小光场聚焦斑的尺寸。研究结果表明,相比使用单一环形光阑的情况,这种方法可使得光场聚焦斑尺寸缩小40nm以上。