非均匀涂层的热辐射

考虑非均匀涂层自身辐射,以及对衬底辐射的透射和对外来辐射的反射,建立了热辐射传输方程;给出了涂层表观发射比和反射比的公式;并讨论了影响涂层辐射性能的诸因素。

高温SOI技术的发展现状和前景

高温绝缘层上硅(SOI)技术突破了体硅半导体器件的高温困境,已被广泛应用于石油天然气钻探、航空航天和国防装备等尖端领域。近年来,第三代宽禁带半导体功率器件已日趋成熟和普及,其中SiC器件以其先天的耐高压、耐高温等特性,与高温SOI器件是非常理想的搭配,适用于原本体硅半导体功率器件难以实现或根本不能想象的应用场景,为系统应用设计者提供了全新的拓展空间。在简述体硅半导体器件高温困境的基础上,综述了高温SOI技术的发展现况,并探讨了其未来的发展方向和应用前景。

高温半导体技术助力碳化硅性能发挥极致

用碳化硅功率器件替代硅基IGBT的初始益处是减小体积、提高效率;更为重要的进步,将是充分发挥碳化硅的基础性能优势,从而能够实现原本IGBT难以实现或根本不能做到的应用,为系统应用设计者提供全新的拓展空间。这特别反映在两个重要方面:其一,高功率密度应用,其所导致的温升,使得器件耐温能力的选择和热管理系统的设计尤显重要;其二,高温环境应用,通常是指没有液冷条件的应用,更加考验器件本身的耐温能力及其高温寿命.

碳化硅器件挑战现有封装技术

碳化硅(SiC)器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等基础上发展起来的,并一直都在演进,但这些渐进改良尚不足以充分发挥SiC器件的性能,因而封装技术需要革命性的进步。在简述现有封装技术及其演进的基础上,主要从功率模块的角度讨论了封装技术的发展方向。同时讨论了功率模块的新型叠层结构以及封装技术的离散化、高温化趋势,并对SiC器件封装技术的发展方向做出了综合评估。

APPLICATION OF THE EMBEDDED ATOM METHOD TO PHONON DISPERSIONS IN COPPER

The force constants between planes in lattice dynamics have been derived from a new model set by the Embedded Atom Method(EAM),based on tile results from density-functional theory.The semiempirical functions for Cu have been obtained by EAM,and the force constants between planes of Cu are calculated,which produce phonon dispersions in agreement with experiments.

Cu(100),(111),(110)表面晶格振动和力常数

采用嵌入原子方法得到了描述Cu基态相互作用性质的半经验函数;推导了表面面间力常数的计算公式,并计算了Cu(100),(111),(110)表面面间力常数,由此揭示了原子间相互作用在体内和在表面附近的区别,以及它们在不同表面结构中的差异。采用递推方法计算了相应的表面振动的投影态密度,与电子能量损失谱(EELS)所得到的实验结果符合得较好。

用嵌入原子方法研究Cu(100)面声子色散

本文采用基于密度泛函理论发展的嵌入原子方法,推导了由半经验函数嵌入能和排斥势所表达的表面晶格动力学矩阵公式,以CU(100)面为例,得到了该面三个主要对称方向的色散关系.其中,沿 FX 方向的瑞利声子色散曲线与新近的电子能量损失谱所得实验结果相比,符合较好.文中还讨论了一些表面模的局域程度以及振动方式.