电磁脉冲应力下MOSFET器件退化机制研究

针对电力应用场景中电磁脉冲导致芯片性能异常退化、芯片内MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等器件失效机理不清晰等问题,本研究采用幅值和宽度分别为8 V和100 ns的TLP(Transmission Line Pulse)脉冲施加至5 V NMOS器件栅氧层,测量了不同脉冲循环次数下器件输出特性曲线I d V d和转移特性曲线I d V g,通过分析不同TLP脉冲条件下跨导的变化规律研究了阈值电压和载流子迁移率随TLP脉冲个数的退化规律。研究结果表明,相同漏电压V d和栅极电压V g下,器件漏电流I d随TLP脉冲次数的增加而升高;TLP脉冲导致阈值电压V T降低显著,施加20000次TLP脉冲后V T降低约25.66%;TLP脉冲造成器件阈值电压的变化量呈指数升高,通过拟合指数为0.11~0.15;TLP脉冲对沟道内载流子迁移率的影响不明显。

考虑离心力的定量式扇形静压转台承载力建模

针对定量式扇形静压油垫承载力计算未考虑离心力因素的影响,且传统计算方法缺乏试验验证的问题,首先推导得到考虑离心力的扇形静压支承油垫承载力模型,而后建立了转台的整体动力学模型,设计了液体静压转台试验方案,并进行了试验研究。通过理论计算值与试验值的对比分析表明,两者变化趋势基本一致,误差范围在比较合理的范围内,验证了考虑离心力的扇形油垫承载力计算模型和整体动力学方程的可行性。本文所建的模型及分析结论可以为实际生产及转台的服役性能提供理论支持。

气体放电电子束的特性和应用

本文描述了产生在软真空中的电子束及其特性,这种成本低廉的大功率电子束在微电子、光电子加工和等离子体化学方面有很大应用价值。文中给出了电子束的放电特性、强度空间分布和能谱的实测结果,对这种电子束的形成机理提出了新的见解。

浅析小学数学教育中学生核心素养的培养方法

随着市场经济的不断发展,传统、老旧的教学方法已经不能满足社会对于高素质人才的需求,核心素养在教育中也越来越重要。在小学数学教育中注重核心素养的培养不仅能够使学生的数学知识更丰富,提升学生的综合素质,而且可以使学生对数学建立更全面的理解。因此,本文分析了当前小学数学教育核心素养的培养原则,并提出小学数学教育中学生核心素养的培养方法。