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题名电子束蒸发制备新型非晶半导体MgSnO薄膜
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作者
何海英
偰正才
罗怡韵
夏远凤
牛憨笨
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机构
深圳大学光电工程学院光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室
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出处
《光电子技术》
CAS
2015年第1期70-72,共3页
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基金
国家自然科学基金资助项目(10974136)
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文摘
采用电子束蒸发镀膜工艺制备一种新型非晶半导体MgSnO薄膜。薄膜在可见光区具有较高的透过率,其平均透过率范围在86.14~92.05%,薄膜的光学带隙随着Mg含量的增加而增大。霍尔效应测试表明MgSnO薄膜为n型半导体,Mg含量可在一定程度上控制薄膜的载流子浓度,MgSnO薄膜的载流子迁移率最高为1.59cm2 V-1s-1。
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关键词
MgSnO薄膜
电子束蒸发
电学特性
光学特性
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Keywords
MgSnO thin film
e-beam evaporation
electrical property
optical property
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分类号
O484
[理学—固体物理]
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题名MgAl_2O_4绝缘性的第一性原理研究
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作者
李俊锋
罗怡韵
何海英
李庆青
偰正才
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机构
深圳大学光电工程学院光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室
深圳技术大学新材料与新能源学院
佛山科学技术学院材料科学与能源工程学院
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出处
《光电子技术》
CAS
2017年第4期240-243,284,共5页
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基金
国家自然科学基金项目(No.10974136)
深圳市重点实验室提升项目(No.JCYJ20130408172903817)
深圳技术大学科研启动项目
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文摘
基于密度泛函理论的第一性原理研究了存在本征空位和间隙缺陷的MgAl_2O_4体系。缺陷形成能的结果表明,O_(i4)和V_O分别在富氧(O-rich)和缺氧(O-poor)条件下的形成能最低,两者均在体系中引入深能级,无法增强MgAl_2O_4的导电性。电子结构的结果表明,O_(i4)在价带顶和导带底均引入能级,V_O在禁带中引入深能级,分别存在这两种本征缺陷的MgAl_2O_4依然保持良好的绝缘性。
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关键词
第一性原理
MGAL2O4
缺陷形成能
电子结构
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Keywords
first-principle
MgAl2O4
defect formation
electronic structure
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分类号
TN141.9
[电子电信—物理电子学]
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