Fowler－Nordheim公式用于实际场发射体的修正

Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ公式是一个在理想条件下推导的计算场致发射电流的公式。对场发射体的实验测量表明：实测结果往往比根据Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ公式计算的结果大很多，说明这一理想化了的公式应用于实际场发射体时，必须给予修正。本文讨论了产生这一问题的原因，并提出了合理的定量修正方法。

Fowler－Nordheim公式应用于实际场发射体的修正

Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｂｅｉｍ公式是一个在理想条件下推导的计算场致发射电流的公式。对场发射体的实验测量表明：实验结果往往比根据Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ公式计算的结果大得很多，说明这一理想化了的公式应用于实际场发射体时，必需得到修正。本文讨论了产生这一问题的原因，并提出了合理的定量修正方法。

场发射显示屏（FED）的基本原理及结构设计

简要介绍ＦＥＤ的基本原理、结构设计。

尖端效应及其数学表达式

本文阐明尖端效应规律．根据场的近距作用模型解格林方程，得到尖端效应的精确表达式．以之解简单对称边值问题，与解析法一致；结合模拟实验解复杂边值问题，与数值计算法符合；应用于真空微电子器件设计，实测与理论相符，说明所得公式是正确的．同时答复了王海兴等的否定意见．

场离子发射与场离子显示屏(FID)——一种新型彩色平板显示器

:场离子显示屏 (FID)是一种既能克服场发射显示屏 (FED)制作的困难 ,实现阴极射线显象管 (CRT)平板化 ,又能保持CRT优质图象和低廉价格的新型彩色平板显示屏。本文先介绍场离子发射的原理 。

场离子显示屏——一种新型彩色平板显示屏

场离子显示屏（ＦｉｅｌｄＩｏｎＤｉｓｐｌａｙ，缩写为ＦＩＤ），是一种既能够克服场发射显示屏（ＦＥＤ）存在的困难，实现阴极射线显象管（ＣＲＴ）平板化，又能保持ＣＲＴ优良图像质量的新型彩色平板显示屏。本文先介绍场离子发射的原理，然后介绍ＦＩＤ的结构及工作原理。

真空微电子器件发展现状及远景了望

本文论述了真空微电子器件的发展远景,并回答了为什么真空微电子器件在未来必将取代固体器件,以及目前它在工艺上和理论上存在些什么困难。

场热电子发射与场热电子显示屏FTD

由于场热电子发射显示屏FTD采用场热发射微电子枪平板阵列,对场强和真空度的要求都不高,而且发射电流密度大,发射电流稳定性和均匀性好,故FTD既具有与液晶显示屏LCD、等离子显示屏PDP和场电子显示屏FED一样的平板结构,又具有与阴极射线显象管CRT一样的高亮度、高清晰度、广视角、低功耗、长寿命和优良的彩色图像。而且FTD生产工艺简单,凡能够生产CRT、LCD和PDP的厂家,不必增加大型设备,即可生产FTD。因此FTD生产成本低,是一种能够实现CRT平板化,并与其它平板显示屏,如LCD、PDP等在市场中相竞争的优质平析显示屏。

场发射显示屏的基本原理及结构设计

简要介绍ＦＥＤ的基本原理、结构设计、存在的问题和发展前景。

场致电子发射技术分析

本文介绍了场致发射的机理及场致发射的几种不同类型的阴极 ,叙述了类金刚石薄膜作为场致发射阴极的优点 ,最后对场致发射的应用进行了分析。

面向工程机械远程智能监控的无线通信协议

面向工程机械远程智能监控系统,提出一种基于UDP的无线透明传输协议CMDTP。给出了CMDTP总体体系结构,论述了CMDTP传输模式与传输数据类型、传输信道状态在线动态匹配寻优的四项关键技术。基于混凝土泵车的实际应用测试结果表明,CMDTP在数据传输品质、传输数据类型、监控规模和成本方面均可满足工程机械远程智能监控的要求,且该协议的实现不需要得到无线网络中路由节点的支持。

真空微电子器件发射体材料研究概况

改善真空微电子器件发射体材料的性能，有助于大大提高真空微电子器件的性能。本文概述了近年来真空微电子器件发射体材料研究状况，认为目前对金属薄膜材料、合金材料、金刚石薄膜、碳化物、硅化物等的场发射特性的研究工作，将产生一些性能优异的发射体材料。

高温超导体的强场致发射分析

】在强场致发射时，Ｎｏｔｉｎｇｈａｍ效应对高温超导体的场致发射性质有较大影响，是导致场致发射体由超导态转化为正常态的主要原因。利用Ｎｏｔｉｎｇｈａｍ效应，使发射体处于超导态和正常态之间转化，可制作超导开关器件。

场致发射显示技术分析

本文介绍了场致发射荧光显示技术的工作原理及特点，分析了场致发射荧光平板显示屏的工作方式、结构及其制作工艺，并讨论了影响显示屏性能的主要因素。

非平衡态对高温超导体场致发射电子能谱的影响

高温超导体场致发射时伴随体内正常态部分空穴的产生 ,引起高温超导体内电子平衡态的化学势偏移导致出现非平衡状态 ,将影响高温超导体场致发射的性质。

场发射真空微电子二极管结构与性能关系研究

本文讨论了场发射真空微电子二极管的工作原理与结构性能关系

微密封真空微电子二极管

本文介绍了一种微密封真空微电子二极管的工艺及实验结果。

高温超导体的场致发射研究

考虑到场穿透引起的逸出功变化，修正了高温超导体材料的场致发射电流密度公式和高温超导体材料的场致发射电子能量分布公式。当考虑到发射体表面的原子级不平整对电场的影响时，利用公式计算的结果与实验结果基本符合。

双量子阱系统伏安特性的数值模拟

本文通过求解薛定谔方程得到由分段线性势垒构成的量子系统的变换矩阵和透射系数的精确解，并利用这一结果计算了双量子阱系统的偏压隧道电流，讨论了双量子阱系统结构变化对其伏安特性的影响。与单量子阱系统的比较表明，双量子阱系统在某些方面，如电流峰谷比，负微分电阻区等优于单量子阱系统。