InGaAsP/InP激光器非平面液相外延生长的研究

本文叙述了用于制作 InGaAsP/InP 半导体激光器的非平面液相外延工艺。讨论了各种因素对非平面液相外延生长的影响。在 InP 衬底上和刻有沟槽的 InGa-AsP/InP 外延片上成功地生长出了高质量外延层。用该外延片制作的激光器在室温连续工作条件下典型阈值电流30mA,典型输出功率为10mW。最高激射温度为115℃。

双电流限制结构的1.55μm单模全金属化耦合封装激光二极管

叙述了具有双电流限制结构的1.55μm InGaAsP/InP 隐埋新月形激光器的制造工艺和主要特性。在室温 CW 工作条件下,该激光二极管的最低阈值电流为20mA,典型值为30mA。可在2～3倍阈值电流下获得稳定的基横模输出。在室温 CW 工作下,管芯的最大光输出功率大于10mW。激光器组件由半导体致冷器,热敏电阻和 PIN 探测器组成,采用了标准的14针双列直插式管壳,实现了激光器组件的全金属化耦合封装,漏气率小于5×10^(-3)Pa·cm^2/s,尾纤输出功率典型值为1mW。

高铝含量Al_xGa_(1-x)As/GaAs太阳电池的多片液相外延生长

介绍了高铝含量和 Mg 掺杂的 Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs 太阳电池的多片液相外延(LPE)生长技术,分析了 Ga_(1-x)Al_xAs 生长熔体中 GaAs 的熔解度,载流子浓度与 Mg 含量及 x 值与铝组分的关系。用多片石墨舟液相外延生长的、具有高铝含量(x=0.9)的 Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs 太阳电池,最高转换效率达17.7%。

我国GaAs太阳电池的发展概况

本文介绍近几年来我国 GaAs 太阳电池的发展概况,并对其将来的发展做了一些预测。

卫星用AlGaAs/GaAs太阳能电池

介绍了GaAs太阳能电池的基本原理、结构设计和制作工艺。用水平液相外延系统 ,三室分离多片外延石墨舟 ,研制了 p+-AlxGa1 -xAs/ p -n+-GaAs结构的太阳能电池。在AMO ,1 0 0mW/cm2 ,2 5℃的测试条件下 ,开路电压 (Voc)为994mV ,短路电流密度 (Jsc)为 2 3.2mA/cm2 ,填充因子 (FF)为 0 .794,光电转换效率 (η)达 1 8.2 %。

多片一次外延AlxGa_(1-x)As/GaAs太阳电池

本文用LPE方法,多片一次外延P^+-AlxGa_(1-x)As/p-nGaAs结构制造GaAs太阳电池获得了好的转换效率。在AMO,25℃,100mw/cm^2的光照条件下,一般电池的效率η_(有效)=18.6％,最高的(η_(有效))_(max)=20.0％。本方法的优点是工艺简单、成本低、成品率高,便于工业化生产。