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基于喷墨打印的In_2O_3/IGZO TFT的电学性能
1
作者
梁坤
邵霜霜
+3 位作者
罗慢慢
谢建军
赵建文
崔铮
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第5期349-355,共7页
利用喷墨打印技术制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟氧化物(In_2O_3)薄膜和性能明显改善的双层In_2O_3/IGZO异质结沟道薄膜,研究了薄膜的物理与电学特性。结果表明,喷墨打印制备的金属氧化物薄膜具有较高的光学透过率与较低的表面...
利用喷墨打印技术制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟氧化物(In_2O_3)薄膜和性能明显改善的双层In_2O_3/IGZO异质结沟道薄膜,研究了薄膜的物理与电学特性。结果表明,喷墨打印制备的金属氧化物薄膜具有较高的光学透过率与较低的表面粗糙度;嵌入的In_2O_3层薄膜能减小IGZO与In_2O_3间的界面缺陷,明显提高In_2O_3/IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能及其偏压稳定性。随着IGZO中In含量的增加,载流子浓度升高,器件的迁移率增大,但In_2O_3与IGZO间能级势垒会逐渐降低,最后导致难以控制关态电流和阈值电压,因此,适当调整In的比例有利于获得较高器件性能的In_2O_3/IGZO异质结沟道TFT。
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关键词
非晶铟镓锌氧化物(IGZO)
喷墨打印
IN2O3
异质结沟道层
薄膜晶体管(TFT)
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职称材料
题名
基于喷墨打印的In_2O_3/IGZO TFT的电学性能
1
作者
梁坤
邵霜霜
罗慢慢
谢建军
赵建文
崔铮
机构
上海大学材料科学与工程学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所印刷电子研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第5期349-355,共7页
基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0401100)
文摘
利用喷墨打印技术制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟氧化物(In_2O_3)薄膜和性能明显改善的双层In_2O_3/IGZO异质结沟道薄膜,研究了薄膜的物理与电学特性。结果表明,喷墨打印制备的金属氧化物薄膜具有较高的光学透过率与较低的表面粗糙度;嵌入的In_2O_3层薄膜能减小IGZO与In_2O_3间的界面缺陷,明显提高In_2O_3/IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能及其偏压稳定性。随着IGZO中In含量的增加,载流子浓度升高,器件的迁移率增大,但In_2O_3与IGZO间能级势垒会逐渐降低,最后导致难以控制关态电流和阈值电压,因此,适当调整In的比例有利于获得较高器件性能的In_2O_3/IGZO异质结沟道TFT。
关键词
非晶铟镓锌氧化物(IGZO)
喷墨打印
IN2O3
异质结沟道层
薄膜晶体管(TFT)
Keywords
amorphous indium gallium zinc oxide(IGZO)
inkjet printing
In2O3
heterojunction channel layer
thin film transistor(TFT)
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于喷墨打印的In_2O_3/IGZO TFT的电学性能
梁坤
邵霜霜
罗慢慢
谢建军
赵建文
崔铮
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
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