光寻址电位传感器的自相关检测方法

针对基于光寻址电位传感器的微流控芯片信噪比低的问题,提出了一种基于自相关检测的光寻址电位传感器信号提取方法。采用气液分离的方法在微流路内产生了体积约1μL的样品微滴,对比了光寻址电位传感器在方波激励与正弦波激励下检测微滴的I/V特性曲线,以及在相同条件下的I-f特性曲线。结果表明:采用自相关检测法,光寻址电位传感器具有53.8 mV/pH的灵敏度,其信噪比提高了7.020 6 dB。研究结果对于微型LAPS光电流信号高精度检测做出了有益探索,具有良好的应用前景。

结构优化的光寻址电位传感器研究进展

光寻址电位传感器(Light Addressable Potentiometric Sensor,LAPS)作为一种电位型半导体场效应传感器,具有灵敏度高、成本低、制备简单等优点,已经发展为无标记生化物质检测和二维生化物质浓度分布可视化分析的重要工具。由于绝缘层中存在陷阱电荷、半导体层光电转换效率低以及系统存在噪声干扰、检测信号串扰等的影响,LAPS的灵敏度、线性度、空间分辨率和测量速度受限制。因此,在结构层面对LAPS进行优化有助于提升检测性能。本文首先介绍了LAPS的原理包括传感器的结构与工作原理,基于LAPS的测量系统以及LAPS的测量模式,进而分析了对LAPS进行结构层面优化所取得的进展及其相关应用,最后总结了提高LAPS检测性能的结构优化要点并对未来研究的突破点和关键点进行了展望。