纳米TiO_2薄膜的制备方法对NPC太阳电池性能的影响

采用溶胶凝胶法、粉末涂敷法在导电玻璃上制得纳米TiO2薄膜.X射线衍射实验表明该薄膜主要是锐钛矿相结构,透射电子显微镜测得薄膜晶粒尺寸为30nm左右,扫描电镜观察了薄膜的表面形貌.分析了这两种方法制得的纳米TiO2薄膜所组成的染料敏化太阳电池的性能,提出了一种新的制作纳米TiO2薄膜的方法.

TiO_2薄膜的制备方法及其对染料敏化太阳电池性能的影响

采用溶胶 凝胶、浆体涂敷、磁控溅射等方法制备了二氧化钛单层以及多层膜.通过透射电镜、扫描电镜以及X射线衍射实验分析了不同薄膜的结构.通过比较不同薄膜制作的染料敏化太阳电池性能探讨了薄膜结构的影响.实验所获得的电池开路电压可达708mV,短路电流可达13.26mA(电池面积为1.8cm2).

快速汽相沉积法制备硅薄膜太阳电池

对在重掺杂抛光单晶硅衬底上用ＲＴＣＶＤ法形成硅薄膜太阳电池进行了研究。衬底为〈１００〉晶向ｐ＋ ＋ 型重掺硅片，电阻率为５×１０－ ３Ωｃｍ 。主要工艺过程为：在衬底上生长一层硅薄膜同时掺硼，膜厚３８μｍ ，扩磷制备ｐ－ｎ 结，背面蒸Ａｌ及Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ 制背电极，正表面在扩散后生长一层ＳｉＯ２ ，前面用光刻剥离法制备Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ 电极，制成的１ｃｍ ２ 太阳电池，开路电压ＶＯＣ＝ ６１２．８ｍ Ｖ，短路电流ＩＳＣ＝ ２９．３ｍ Ａ，填充因子ＦＦ＝ ０．７５７９，效率η＝ １３．６１。对一些影响电池特性的因素进行了研究，发现硅薄膜的掺杂浓度、发射层的掺杂浓度以及减反射层都对太阳电池的特性有较大影响。

在SiO_2和Si_(3)N_4膜上用RTCVD法沉积多晶硅薄膜的研究

报道了在 Ｓｉ Ｏ２ 和 Ｓｉ３ Ｎ４ 膜上用 Ｒ Ｔ Ｃ Ｖ Ｄ 法直接沉积多晶硅薄膜的实验结果，在这两种薄膜上制备出了具有柱状晶粒的多晶硅薄膜，发现两者在薄膜的结构和结晶取向上有很大不同。用 Ｒ Ｔ Ｃ Ｖ Ｄ 法在 Ｓｉ Ｏ２ 膜上沉积的多晶硅膜，晶粒较大，晶粒间的空隙也较大，晶粒的择优取向为〈１１１〉；在 Ｓｉ３ Ｎ４ 膜上沉积的多晶硅薄膜，晶粒尺寸较小，晶粒致密，晶粒间基本无空隙，晶粒的择优取向为〈１００〉

NPC太阳电池的TiO_2薄膜结构的研究

采用溶胶凝胶法、粉末涂敷法和磁控溅射法在导电玻璃上制得纳米TiO_2薄膜。电子衍射和X射线衍射实验表明该薄膜主要是锐钛矿相结构,透射电子显微镜实验证明了薄膜晶粒为纳米尺度,扫描电子显微镜实验观察了薄膜的表面形貌。分析并讨论了利用以上各种方法制得的纳米TiO_2薄膜的结构及其所组成的染料敏化太阳电池的性能。发现由致密TiO_2层和多孔TiO_2层组成的多层TiO_2薄膜组装的太阳电池的性能优于任一种单层TiO_2薄膜。