期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
作业疗法新技术在脑卒中后上肢功能障碍中的应用
1
作者
降锦洲
龙欢
+8 位作者
罗楠
王婉仪
余方向
肖秋洋
罗浩俊
陈玉鑫
吴广
张洪侠
邱继文
《中国老年保健医学》
2024年第3期107-112,共6页
上肢功能障碍是脑卒中常见的并发症之一,发病率为48%~77%。上肢功能障碍可表现为持续性疼痛、肿胀、感觉障碍和运动功能障碍等,导致患者日常生活活动能力丧失和生活质量下降。作业疗法对于促进上肢功能恢复具有不错的疗效。随着康复医...
上肢功能障碍是脑卒中常见的并发症之一,发病率为48%~77%。上肢功能障碍可表现为持续性疼痛、肿胀、感觉障碍和运动功能障碍等,导致患者日常生活活动能力丧失和生活质量下降。作业疗法对于促进上肢功能恢复具有不错的疗效。随着康复医学理论的发展和非侵入性神经调控、机器人辅助治疗作业疗法新技术的应用,作业疗法也衍生出了许多新技术,大量的临床试验已经证明这些新技术具有可观的疗效。本文对近年来作业疗法新技术在诊治上肢功能障碍方面的临床应用情况进行了阐述,旨在帮助相关人员深入了解作业疗法新技术,为脑卒中后上肢功能障碍的康复探寻更有效的治疗方法提供参考。
展开更多
关键词
作业疗法
新技术
脑卒中
上肢
下载PDF
职称材料
退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响
2
作者
罗浩俊
胡成余
+1 位作者
姚淑德
秦志新
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期120-124,共5页
在用 MOCVD 方法生长的 p-GaN 薄膜中注入 Mg 离子,然后在 N_2气氛下在850~1150℃之间快速退火,研究了 Mg^+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质.结果表明,离子注入使 GaN 晶体沿着 a 轴和 c 轴方向同时膨胀.在离子注入后...
在用 MOCVD 方法生长的 p-GaN 薄膜中注入 Mg 离子,然后在 N_2气氛下在850~1150℃之间快速退火,研究了 Mg^+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质.结果表明,离子注入使 GaN 晶体沿着 a 轴和 c 轴方向同时膨胀.在离子注入后的 p-GaN 薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm^(-1)和360 cm^(-1)两个新峰,其强度随着退火温度而变化.这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的振动模式和局域振动模式.消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的.注入剂量1×10^(14)cm^(-2)是一个临界值,对于注入剂量高于这个临界值的样品,高温退火不能使其晶体质量全部恢复.
展开更多
关键词
无机非金属材料
p—GaN
离子注入
拉曼散射
下载PDF
职称材料
题名
作业疗法新技术在脑卒中后上肢功能障碍中的应用
1
作者
降锦洲
龙欢
罗楠
王婉仪
余方向
肖秋洋
罗浩俊
陈玉鑫
吴广
张洪侠
邱继文
机构
天津中医药大学医学技术学院
天津中医药大学中医学院
出处
《中国老年保健医学》
2024年第3期107-112,共6页
基金
2024年天津市大学生创新创业训练计划项目(编号:202410063023)
天津中医药大学2020年教育教学改革研究项目(编号:2020JY036)。
文摘
上肢功能障碍是脑卒中常见的并发症之一,发病率为48%~77%。上肢功能障碍可表现为持续性疼痛、肿胀、感觉障碍和运动功能障碍等,导致患者日常生活活动能力丧失和生活质量下降。作业疗法对于促进上肢功能恢复具有不错的疗效。随着康复医学理论的发展和非侵入性神经调控、机器人辅助治疗作业疗法新技术的应用,作业疗法也衍生出了许多新技术,大量的临床试验已经证明这些新技术具有可观的疗效。本文对近年来作业疗法新技术在诊治上肢功能障碍方面的临床应用情况进行了阐述,旨在帮助相关人员深入了解作业疗法新技术,为脑卒中后上肢功能障碍的康复探寻更有效的治疗方法提供参考。
关键词
作业疗法
新技术
脑卒中
上肢
分类号
R47 [医药卫生—护理学]
下载PDF
职称材料
题名
退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响
2
作者
罗浩俊
胡成余
姚淑德
秦志新
机构
北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期120-124,共5页
基金
国家自然科学基金60476028
60276010
60476007资助项目~~
文摘
在用 MOCVD 方法生长的 p-GaN 薄膜中注入 Mg 离子,然后在 N_2气氛下在850~1150℃之间快速退火,研究了 Mg^+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质.结果表明,离子注入使 GaN 晶体沿着 a 轴和 c 轴方向同时膨胀.在离子注入后的 p-GaN 薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm^(-1)和360 cm^(-1)两个新峰,其强度随着退火温度而变化.这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的振动模式和局域振动模式.消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的.注入剂量1×10^(14)cm^(-2)是一个临界值,对于注入剂量高于这个临界值的样品,高温退火不能使其晶体质量全部恢复.
关键词
无机非金属材料
p—GaN
离子注入
拉曼散射
Keywords
inorganic non-metallic materials, p-GaN, ion implantation, Raman spectroscopy
分类号
TB321 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
作业疗法新技术在脑卒中后上肢功能障碍中的应用
降锦洲
龙欢
罗楠
王婉仪
余方向
肖秋洋
罗浩俊
陈玉鑫
吴广
张洪侠
邱继文
《中国老年保健医学》
2024
0
下载PDF
职称材料
2
退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响
罗浩俊
胡成余
姚淑德
秦志新
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部