一种基于PJFET的低温漂基准设计方法

本文介绍了一种基于PJFET技术的电压基准源设计方法。该方法利用PJFET夹断电压的温度特性产生负温漂电压,在此基础上叠加一个正温漂电压进行温度补偿,产生低温漂基准电压。根据文中的理论方法,基于1.5μm 32 V双极工艺设计了一款输出5 V的电压基准源。测试结果表明,该电压基准源温漂在5 ppm/℃以内,具有低噪声,低温漂等特性。

一种带脉宽保护的场效应管驱动器

基于华虹宏力0.35μm BCD工艺,设计了一种输出峰值电流为6 A的双路场效应管驱动电路。通过输入级将TTL/CMOS信号转换为0_(~)5 V信号,再经过输入整形单元提高信号上升沿速度、控制信号占空比,然后通过缓冲单元增强信号驱动能力,通过死区单元设置死区窗口,降低输出共态导通电流,最后采用推挽式输出级进行功率输出。使电路可以应用于6 A的大电流驱动系统和40 V的高压驱动系统,具备良好的通用性。