太阳能电池PECVD工艺参数对生长氮化硅薄膜影响的研究

氮化硅膜是对提高太阳能电池光电转换效率有重要作用的减反射膜。文章介绍了氮化硅膜的钝化作用和减反射作用,陈述了PECVD生长的氮化硅薄膜的基本性质,以156mm×156mm型号的多晶硅太阳电池片为例,结合实际测量数据,分析了在淀积过程中温度、硅烷氨气流量比和射频功率等工艺参数对氮化硅薄膜的生长及其性质的影响。