YAG∶(Cr,Tm)晶体的研究

YAG∶(Cr,Tm)是一种优良的激光晶体 (激光波长 2 .0 1 μm) ,在医学和激光雷达等方面有很好的应用前景。我们用中频感应加热引上法生长该晶体。生长参数是 :铱坩埚尺寸6 2× 5 5mm ,壁厚 2 .2mm ;生长速度 1 .0～ 2 .0mm/h ;晶体直径2 2～ 2 5mm ;晶体转速 1 0～ 30r/min(对凸界面 )或 75～ 90r/min(对平界面 ) ;掺Tm浓度的原子分数为x(Tm) =1 %～ 1 2 % ;针对不同应用 ,对掺Cr浓度在一定范围内进行了调整 ;生长气氛为中性 (Ar和N2 )。研究了Cr,Tm不同掺杂浓度时对单晶生长和晶体质量的影响 ,以及原料处理方式、生长条件及热处理对晶体光谱特性的影响。采用特殊的生长装置 (形成所需的热场 )和特殊的工艺已获得稳定的平界面生长 (无核心和无位错 ) ,保证了晶体径向质量均匀 ,即使从较小坩埚中也可获得尺寸相对大的YAG∶(Cr,Tm)晶体。已生长出无核心、无位错、无散射颗粒 ,尺寸达2 5× 1 40mm的YAG∶(Cr,Tm)晶体 ,可加工出( 6～ 7)× 1 2 0mm的激光棒。为了克服OH的有害吸收 ,从原料制备和在生长过程前期采取了一些措施 ,已取得较好效果。还开展了对YAG∶(Cr,Tm)激光棒及激光腔镜的 2 μm膜的镀制研究 ,初步探讨了激光试验中膜层损失的问题。用闪光灯泵浦5× 80mm的激光棒已获得 35 8.9mJ的输?

YAG∶Cr^(4+)晶体的生长及Q开关的制备

本文报道作为 1 .0 6 μmNd激光的被动Q开关的YAG∶Cr4+晶体的生长及Q开关的制备研究。该晶体用中频感应加热引上法从铱坩埚中生长。感应加热设备工作频率 8～ 1 0kHz,额定功率 2 5kW。铱坩埚尺寸为6 2× 5 5mm ,壁厚 2 .2mm。采用Ca和 /或Mg与Cr共掺入YAG基质中 ,以形成YAG∶Cr4+晶体。晶体生长方向为 [1 1 1 ],生长速度 1 .0～ 2mm/h。通过研究已获得适应不同应用的 ,具有不同吸收系数 (α1.0 6μm)的YAG∶Cr4+晶体的掺杂配方。为了消除YAG∶Cr4+晶体中影响晶体光学质量的核心效应 ,采用了一种特殊的平界面生长技术 ,获得了无核心晶体。采用此法 ,即使用较小的坩埚也可获得大截面积且径向质量均匀的Q开关元件 ,可满足某些激光器对大截面Q开关的需求。目前 ,Q开关的直径最大可达 2 5mm。对比研究了掺杂体系及配方 ,生长气氛和退火对YAG中Cr4+形成的影响。实验证实 ,掺杂体系及其配方 ,生长时的气氛及晶体生长后的高温退火都对YAG∶Cr4+中的Cr4+的形成产生影响。但二价碱土金属离子Me2 +的掺入是决定性的条件。没有Me2 +离子掺入 ,晶体中只有三价的Cr3 +,不可能形成Cr4+。即使在含氧气氛中生长和高温长时间退火都不能改变这种情况。晶体退火在大气中进行 ,在 1 2 0 0～ 1 2 5 0℃下恒温 36～ 6 0h。

生长及退火条件对Cr^(4+):Mg_2SiO_4和Cr^(4+)∶YAG晶体光谱特性的影响

生长及退火条件对Ｃｒ４＋：Ｍｇ２ＳｉＯ４和Ｃｒ４＋∶ＹＡＧ晶体光谱特性的影响徐天华彭维清黄昌明罗蜀平（西南技术物理研究所，成都市６１００６４）ＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｔｈｅＧｒｏｗｔｈａｎｄＡｎｎｅａｌｉｎｇＣｏｎｄｉｔｉｏｎｓｏｎｔｈｅＳｐｅｃｔｒａ...

Mg_2SiO_4∶Cr^(4+)晶体生长新技术

Ｍｇ２ＳｉＯ４∶Ｃｒ４＋晶体生长新技术徐天华彭维清黄昌明罗蜀平（西南技术物理研究所，成都６１００６４）ＧｒｏｗｔｈｏｆＭｇ２ＳｉＯ４∶Ｃｒ４＋ＣｒｙｓｔａｌｂｙＵｓｉｎｇＮｅｗＴｅｃｈｎｉｑｕｅＸｕＴｉａｎｈｕａＰｅｎｇＷｅｉｑｉｎｇＨｕａｎｇＣｈａ...

自由锻压机的自动化

在小批量生产的情况下生产了大量产品的JOB-SHOP操作的自动化和机械化,只能一步一步地实行。为了保证达到质量和数量的可重现性,第一步就是记录工作数据。通过积累数据,有可能分析锻造过程,以便使之重复进行和最终最佳化。模具遥控移位装置,遥控换模装置以及模具库,都是为自动化和机械化服务的,可提供各种各样的方法,并能按需要进行选择,从而减少了辅助时间和提高了灵活性。控制和监视任务是在空调的、隔开的控制室里的控制台上进行的。这笔花费也有助于工作场所的人道化并通过有更好的产品质量和更高的产量予以证明。通过办公室里的数据终端设备,能随时了解生产情况,以便更好地作计划和组织按合同生产。