太赫兹边缘耦合器的研究

硅基集成平台具有较高的折射率差,非常适用于大规模、小尺寸、高密度器件的集成。本文提出了一种新型的太赫兹边缘耦合器,该研究旨在实现高效的太赫兹波在波导中的耦合和传输,为太赫兹波在集成芯片中的应用提供了重要基础。通过设计和制备边缘耦合器件,本研究放宽了水平对准容差的要求,提高了太赫兹波与波导之间的耦合效率。工作波长在180~200 GHz范围,通过改变输入光的波长可以输出不同强度的能量。所提出的器件减小了实现高耦合效率所需的水平对准容差,并适用于被动对准组装。实验结果显示,该边缘耦合器件具有良好的性能和制造可扩展性。